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1. (WO2009092165) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/092165    N° de la demande internationale :    PCT/CA2009/000077
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 22.01.2009
CIB :
H01L 21/06 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01), G01T 1/29 (2006.01), H01L 31/0272 (2006.01), H01L 31/115 (2006.01)
Déposants : KARIM, Karim S. [CA/CA]; (CA).
GOLDAN, Amirhossein [CA/CA]; (CA)
Inventeurs : KARIM, Karim S.; (CA).
GOLDAN, Amirhossein; (CA)
Mandataire : WONG, Jeffrey W.; (CA).
ALLARD, Louis; (CA).
BARRANS, J. David; (CA).
BEHMANN, Curtis B.; (CA).
BRITT, Katherine R.; (CA).
CHAKRAPANI, Mukundan; (CA).
COLLARD, Christine J.; (CA).
CONN, David L.; (CA).
DE KLEINE, Geoffrey; (CA).
DE KOCK, Elbie R.; (CA).
HENDERSON, Neil; (CA).
HOWG, Jason L.; (CA).
HUNG, Shin; (CA).
KENEFORD, L. Brooke; (CA).
FRITZ, Joachim T.; (CA).
KINSMAN, L. Anne; (CA).
LEDWELL, Jennifer; (CA).
MARSMAN, Kathleen E.; (CA).
MEASURES, Jeffrey M.; (CA).
PAXTON, John E.; (CA).
RAOUL, Jennifer M.; (CA).
RAPAPORT, Lesley; (CA).
SCHISLER, Mark; (CA).
SILVER, Gail C.; (CA).
SOJONKY, Andrew D.; (CA).
TAMER, Ibrahim; (CA).
WEBB, Tim E.; (CA).
WHITT, Michael R.; (CA)
Données relatives à la priorité :
2,615,827 22.01.2008 CA
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR A RADIATION DETECTOR
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The invention is directed at a radiation detector which includes a grid electrode located within the detector to assist in the charge collection process. The grid electrode is preferably embedded within a semiconductor layer between two electrode layers, one of the electrode layers being a charge collecting electrode and the other being a common electrode.
(FR)L’invention concerne un détecteur de rayonnement comprenant une électrode grille située à l’intérieur du détecteur afin de contribuer au processus de collecte de charges. L’électrode grille est de préférence enrobée dans une couche semiconductrice entre deux couches d’électrodes, l’une des couches d’électrodes étant une électrode de collecte de charges et l’autre étant une électrode commune.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)