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1. (WO2009091786) DISPOSITIFS À COLONNES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/091786    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030937
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 14.01.2009
CIB :
H01L 27/102 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035-7932 (US) (Tous Sauf US).
DUNTON, Vance [US/US]; (US) (US Seulement).
HERNER, Brad, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
POON, Paul, Wai, kie [US/US]; (US) (US Seulement).
PAN, Chuanbin [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAN, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
KONECECKI, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
RAGHURAM, Usha [US/US]; (US) (US Seulement).
PETTI, Christopher, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DUNTON, Vance; (US).
HERNER, Brad, S.; (US).
POON, Paul, Wai, kie; (US).
PAN, Chuanbin; (US).
CHAN, Michael; (US).
KONECECKI, Michael; (US).
RAGHURAM, Usha; (US).
PETTI, Christopher, J.; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; FOLEY & LARDNER LLP 3000 K Street Washington, DC 20007 (US)
Données relatives à la priorité :
12/007,781 15.01.2008 US
12/007,780 15.01.2008 US
Titre (EN) PILLAR DEVICES AND METHODS OF MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIFS À COLONNES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)A method of making a semiconductor device includes providing an insulating layer containing a plurality of openings, forming a first semiconductor layer in the plurality of openings in the insulating layer and over the insulating layer, and removing a first portion of the first semiconductor layer, such that first conductivity type second portions of the first semiconductor layer remain in lower portions of the plurality of openings in the insulating layer, and upper portions of the plurality of openings in the insulating layer remain unfilled. The method also includes forming a second semiconductor layer in the upper portions of the plurality of openings in the insulating layer and over the insulating layer, and removing a first portion of the second semiconductor layer located over the insulating layer. The second conductivity type second portions of the second semiconductor layer remain in upper portions of the plurality of openings in the insulating layer to form a plurality of pillar shaped diodes in the plurality of openings.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui comprend l'utilisation d'une couche isolante contenant une pluralité d'ouvertures, la fabrication d'une première couche semi-conductrice dans la pluralité d'ouvertures de la couche isolante et sur la couche isolante, et l'élimination d'une première partie de la première couche semi-conductrice, de telle sorte que les secondes parties d'un premier type de conductivité de la première couche semi-conductrice restent dans des parties inférieures de la pluralité d'ouvertures de la couche isolante, et les parties supérieures de la pluralité d'ouvertures de la couche isolante restent non remplies. Le procédé comprend aussi la fabrication d'une seconde couche semi-conductrice dans les parties supérieures de la pluralité d'ouvertures de la couche isolante et sur la couche isolante, et l'élimination d'une première partie de la seconde couche semi-conductrice positionnée sur la couche isolante. Les secondes parties d'un second type de conductivité de la seconde couche semi-conductrice restent dans des parties supérieures de la pluralité d'ouvertures de la couche isolante pour former une pluralité de diodes en forme de colonne dans la pluralité d'ouvertures.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)