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1. (WO2009091665) SPACER DOUBLE PATTERNING FOR LITHOGRAPHY OPERATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/091665    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030488
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 08.01.2009
CIB :
G03F 1/00 (2006.01)
Déposants : CADENCE DESIGN SYSTEMS, INC. [US/US]; 2655 Seely Avenue, M/S SB1, San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
PIERRAT, Christophe [FR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PIERRAT, Christophe; (US)
Mandataire : YANNUZZI, Daniel, N.; Sheppard Mullin Richter & Hampton Llp, 333 S. Hope Street, Los Angeles, CA 90071 (US)
Données relatives à la priorité :
12/014,985 16.01.2008 US
Titre (EN) SPACER DOUBLE PATTERNING FOR LITHOGRAPHY OPERATIONS
(FR) SPACER DOUBLE PATTERNING FOR LITHOGRAPHY OPERATIONS
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods of semiconductor device fabrication and layout generation are disclosed. An exemplary method includes processes of depositing a layer of a first material and patterning the layer to form an initial pattern, wherein the initial pattern defines critical features of the layout elements using a single exposure; depositing spacer material over the first pattern on the substrate and etching the spacer material such that the spacer material is removed from horizontal surfaces of the substrate and the first pattern but remains adjacent to vertical surfaces of the first pattern; removing the initial pattern from the substrate while leaving the spacer material in a spacer pattern; filling the spacer pattern with final material; and trimming the filled pattern to remove portions of the final material beyond dimensions of the layout elements.
(FR)L'invention concerne des systèmes et des procédés de fabrication et de configuration d'un dispositif à semi-conducteurs. Un procédé, à titre d'exemple, comprend une étape de dépôt d'une couche faite d'un premier matériau, et de modélisation de la couche pour former un motif initial, le motif initial définissant des caractéristiques critiques des éléments de configuration lors d'une seule exposition; une étape de dépôt d'un matériau séparateur sur le premier motif du substrat, et de gravure du matériau séparateur de manière à éliminer le matériau séparateur des surfaces horizontales du substrat et du premier motif, ledit matériau restant adjacent aux surfaces verticales du premier motif; une étape d'élimination du premier motif du substrat tout en laissant le matériau séparateur dans un motif de séparateur; une étape de remplissage du motif de séparateur avec le matériau final; et une étape de coupe du motif rempli afin d'éliminer des parties du matériau final au-delà des dimensions des éléments de configuration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)