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1. (WO2009091376) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT/GRAVURE INDUIT PAR LASER AVEC RAYON ATOMIQUE À HAUTE PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/091376    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/011986
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 21.10.2008
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : LOS ALAMOS NATIONAL SECURITY, LLC [US/US]; Los Alamos National Laboratory LC/IP, MS A187 Los Alamos, NM 87545 (US) (Tous Sauf US).
MAXWELL, James, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
SPRINGER, Robert, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAXWELL, James, L.; (US).
SPRINGER, Robert, W.; (US)
Mandataire : COTTRELL, Bruce, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
11/923,788 25.10.2007 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR HIGH-PRESSURE ATOMIC-BEAM LASER INDUCED DEPOSITION/ETCHING
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉPÔT/GRAVURE INDUIT PAR LASER AVEC RAYON ATOMIQUE À HAUTE PRESSION
Abrégé : front page image
(EN)A method for carrying out pulsed laser deposition is disclosed. The method comprises providing a target having a desired composition; irradiating the target with a pulsed laser beam to provide a plume of target material; and directing the plume in a desired direction by use of an inert carrier gas. The plume of target material is passed through an aperture to create an atomic beam. One or both of the plume or the atomic beam is irradiated to reduce the amount of agglomerated particles in the atomic beam. The atomic beam is directed onto a substrate to produce a deposition product. An apparatus for carrying out the method is also disclosed.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de réaliser un dépôt par laser pulsé. Le procédé comprend la réalisation d'une cible ayant une composition voulue ; l'irradiation de la cible avec un rayon laser pulsé pour réaliser un panache de matériau cible ; et l'orientation du panache dans une direction voulue en utilisant un gaz porteur inerte. Le panache de matériau cible est acheminé à travers une ouverture pour créer un rayon atomique. Le panache, le rayon atomique ou les deux sont irradiés afin de réduire le nombre de particules agglomérées dans le rayon atomique. Le rayon atomique est dirigé vers un substrat pour produire un produit de dépôt. L'invention concerne également un appareil pour mettre en œuvre le procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)