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1. (WO2009091013) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/091013    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/050504
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 16.01.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (Tous Sauf US).
YANO, Koki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMAI, Shigekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YANO, Koki; (JP).
INOUE, Kazuyoshi; (JP).
TOMAI, Shigekazu; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor 26, Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-008393 17.01.2008 JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 電界効果型トランジスタ、半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a field effect transistor provided with a semiconductor layer (109) which contains a source electrode (107a), a drain electrode (107b), a gate electrode (103), an insulating film (105) and crystalline oxide. The source electrode (107a) and the drain electrode (107b) are self-aligned with the gate electrode (103) with the insulating film (105) in between.
(FR)L'invention porte sur un transistor à effet de champ comportant une couche semi-conductrice (109) qui contient une électrode de source (107a), une électrode de drain (107b), une électrode de grille (103), un film isolant (105) et un oxyde cristallin. L'électrode de source (107a) et l'électrode de drain (107b) sont auto-alignées avec l'électrode de grille (103), avec le film isolant (105) entre elles.
(JA) ソース電極107a、ドレイン電極107b、ゲート電極103、絶縁膜105及び結晶質酸化物を含む半導体層109を備え、ソース電極107aとドレイン電極107bが絶縁膜105を介してゲート電極103と自己整合して配置されている電界効果型トランジスタ。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)