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1. (WO2009090904) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/090904    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/050110
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 08.01.2009
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
SATO, Fumitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Fumitaka; (JP).
NAKAHATA, Seiji; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-006854 16.01.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物結晶の成長方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for growing a group III nitride crystal, which comprises a step of preparing a substrate (10) containing a group III nitride seed crystal (10a) having a major surface (10m), a step of providing the major surface (10m) of the substrate (10) with a plurality of facets (10ms, 10mt, 10mu) by vapor-phase etching, and a step of growing a group III nitride crystal (20) on the major surface (10m) having the facets (10ms, 10mt, 10mu). By this method, a group III nitride crystal (20) having low dislocation density can be efficiently obtained by a simple process.
(FR)Cette invention concerne un procédé de croissance de cristaux de nitrure du groupe III, comprenant une étape de préparation d'un substrat (10) contenant un germe cristallin de nitrure du groupe III (10a) ayant une surface majeure (10m), une étape de formation d'une pluralité de facettes (10ms, 10mt, 10mu) sur la surface majeure (10m) du substrat (10) par gravure en phase vapeur, et une étape de croissance d'un cristal de nitrure du groupe III (20) sur la surface majeure (10m) qui présente les facettes (10ms, 10mt, 10mu). Au moyen de ce procédé, il est possible d'obtenir par un processus simple et de manière efficace un cristal de nitrure du groupe III (20) à faible densité de dislocation.
(JA) 本III族窒化物結晶の成長方法は、一主面(10m)を有するIII族窒化物種結晶(10a)を含む基板(10)を準備する工程と、気相エッチングにより基板(10)の主面(10m)に複数のファセット(10ms,10mt,10mu)を形成する工程と、ファセット(10ms,10mt,10mu)が形成された主面(10m)上にIII族窒化物結晶(20)を成長させる工程と、を備えることにより、簡便に効率よく転位密度の低いIII族窒化物結晶(20)が得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)