WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009090123) A UTILISATION DE RÉSEAUX DE DIFFRACTION INTÉGRÉS 3D DANS DES CELLULES SOLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/090123    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/050094
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 07.01.2009
CIB :
H01L 25/04 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
FERTIG, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PFLUEGER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MORF, Thomas E. [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
MOLL, Nikolaj [DE/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : FERTIG, Matthias; (DE).
PFLUEGER, Thomas; (DE).
MORF, Thomas E.; (CH).
MOLL, Nikolaj; (CH)
Mandataire : JAUREGUI URBAHN,Kristian; IBM Deutschland Management & Business Support GmbH Patentwesen und Urheberrecht 70548 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
08100427.7 14.01.2008 EP
Titre (EN) USING 3D INTEGRATED DIFFRACTIVE GRATINGS IN SOLAR CELLS
(FR) A UTILISATION DE RÉSEAUX DE DIFFRACTION INTÉGRÉS 3D DANS DES CELLULES SOLAIRES
Abrégé : front page image
(EN)A multi- junction opto-electronic device comprising a stack of wavelength selective absorption layers is proposed. The absorption layers comprise each a first layer with a grating of a specific pitch defining the wavelength of the incident light to be absorbed within a subjacent second electrically active layer itself on a third electrically inactive layer. The second electrically active layer within the different absorption layers is in electrical connection with lateral contacts to extract the electrical charge carriers generated by the absorbed incident light within the active layer. The grating within the first layer of the absorption layers is defined by periodic stripes of specific width depending on the wavelength to be absorbed by the respective absorption layers. The period of the stripes alignment is defined by the pitch of the grating. Advantageously, ordinary silicon technology can be used.
(FR)L'invention porte sur un dispositif optoélectronique à multiples jonctions comprenant un empilement de couches à absorption sélective en longueur d'onde. Les couches d'absorption comprennent chacune une première couche ayant un réseau d'un pas spécifique définissant la longueur d'onde de la lumière incidente devant être absorbée à l'intérieur d'une deuxième couche électriquement active sous-jacente, se trouvant elle-même sur une troisième couche électriquement inactive. La deuxième couche électriquement active à l'intérieur des différentes couches d'absorption est en connexion électrique avec des contacts latéraux pour extraire les porteurs de charge électrique générés par la lumière incidente absorbée dans la couche active. Le réseau dans la première couche des couches d'absorption est défini par des bandes périodiques de largeur spécifique dépendant de la longueur d'onde devant être absorbée par les couches d'absorption respectives. La période d'alignement des bandes est définie par le pas du réseau. Une technologie silicium ordinaire peut être avantageusement utilisée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)