WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009090098) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UNE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/090098    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/000279
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 17.01.2009
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : SCHMID TECHNOLOGY GMBH [DE/DE]; Robert-Bosch-Strasse 3-5 68723 Schwetzingen (DE) (Tous Sauf US).
BUCHNER, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SAUTER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BUCHNER, Christian; (DE).
SAUTER, Thomas; (DE)
Mandataire : RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PARTNER; Postfach 10 40 36, 70035 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 005 845.9 17.01.2008 DE
10 2008 057 228.4 04.11.2008 DE
Titre (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING A SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UNE CELLULE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(DE)Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Aufbringen von elektrisch leitfähigem Leitermaterial (21, 25) auf eine Seite (14, 15) eines Silizium-Substrats (13) ist ein Leitermaterialträger (18) mit Abstand zu dem Silizium-Substrat (13) angeordnet. Der Leitermaterialträger (18) ist lichtdurchlässig und trägt auf einer dem Silizium-Substrat (13) zugewandten Seite (20) pastöses Leitermaterial (21). Ein fokussierter Laserstrahl (23) wird auf die von dem Silizium-Substrat (13) abgewandte Seite (19) des Leitermaterialträgers (18) eingekoppelt zum Ablösen des Leitermaterials (21, 25) in spezieller Form entsprechend der vom Laserstrahl (23) angestrahlten Punkte oder Linien. Dabei wird das abgelöste Leitermaterial (21, 25) auf die ihm gegenüberliegende Oberfläche (14, 15) des Silizium-Substrats (13) übertragen. Dort bildet es eine gewünschte Struktur, die durch Einbrennen verfestigt wird.
(EN)In a method for producing a solar cell by application of electrically conductive conductor material (21, 25) onto one side (14, 15) of a silicon substrate (13), a conductor material carrier (18) is arranged at a distance from the silicon substrate (13). The conductor material carrier (18) is transparent and has a pasty conductor material (21) on a side (20) facing the silicon substrate (13). A focused laser beam (23) is injected onto that side (19) of the conductor material carrier (18) which is remote from the silicon substrate (13) in order to detach the conductor material (21, 25) in a special form corresponding to the points or lines on which the laser beam (23) impinges. In this case, the detached conductor material (21, 25) is transferred to the opposite surface (14, 15) of the silicon substrate (13). There, a desired structure which is solidified by baking is formed.
(FR)Procédé de production d'une cellule solaire par application d'un matériau électroconducteur (21, 25) sur un côté (14, 15) d'un substrat en silicium (13), procédé selon lequel un support du matériau conducteur (18) est disposé à distance du substrat en silicium (13). Le support du matériau conducteur (18) est transparent et porte, sur un côté (20) tourné vers le substrat en silicium (13), un matériau conducteur pâteux (21). Un rayon laser focalisé (23) est injecté sur le côté opposé au substrat en silicium (13) en vue de détacher le matériau conducteur (21, 25) sous une forme particulière correspondant aux points ou aux lignes irradiés par le faisceau laser (23). Le matériau conducteur (21, 25) détaché est transféré sur la surface (14, 15) qui lui est opposée, du substrat en silicium (13). Il se forme sur cette surface une structure voulue qui est renforcée par cuisson.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)