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1. (WO2009089360) CELLULE DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE JONCTION MAGNÉTIQUE À EFFET TUNNEL (MTJ) DE CELLULE DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/089360    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030451
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 08.01.2009
CIB :
H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM Incorporated [US/US]; Attn: International IP Administration, 5775 Morehouse Drive, San Diego, California 92121 (US) (Tous Sauf US).
GU, Shiqun [US/US]; (US) (US Seulement).
KANG, Seung, H. [KR/US]; (US) (US Seulement).
NORWAK, Matthew, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GU, Shiqun; (US).
KANG, Seung, H.; (US).
NORWAK, Matthew, M.; (US)
Mandataire : TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive, San Diego, California 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
11/970,557 08.01.2008 US
Titre (EN) MEMORY CELL AND METHOD OF FORMING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ) OF A MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE JONCTION MAGNÉTIQUE À EFFET TUNNEL (MTJ) DE CELLULE DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A memory including a memory cell and method for producing the memory cell are disclosed. The memory includes a substrate in a first plane. A first metal connection extending in a second plane is provided. The second plane is substantially perpendicular to the first plane. A magnetic tunnel junction (MTJ) is provided having a first layer coupled to the metal connection such that the first layer of the MTJ is oriented along the second plane.
(FR)L'invention concerne une mémoire comprenant une cellule de mémoire et un procédé de production de la cellule de mémoire. La mémoire comprend un substrat dans un premier plan. On aménage une première connexion métallique s'étendant dans un deuxième plan, le deuxième plan étant sensiblement perpendiculaire au premier plan. On aménage également une jonction magnétique à effet tunnel (MTJ) dotée d'une première couche couplée à la connexion métallique de telle sorte que la première couche de la MTJ soit orientée le long du deuxième plan.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)