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1. (WO2009089350) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR UNE EXTENSION DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/089350    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030441
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 08.01.2009
CIB :
G06F 12/00 (2006.01), G06F 13/16 (2006.01)
Déposants : CISCO TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 170 West Tasman Drive San Jose, California 95134 (US) (Tous Sauf US).
MAZZOLA, Mario [US/US]; (US) (US Seulement).
NISHTALA, Satyanarayana [US/US]; (US) (US Seulement).
CAFIERO, Luca [US/US]; (US) (US Seulement).
MANELA, Philip [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAZZOLA, Mario; (US).
NISHTALA, Satyanarayana; (US).
CAFIERO, Luca; (US).
MANELA, Philip; (US)
Mandataire : EDELL, SHAPIRO & FINNAN, LLC; 9801 Washingtonian Blvd, Suite 750 Gaithersburg, MD 20878 (US)
Données relatives à la priorité :
11/971,066 08.01.2008 US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR MEMORY EXPANSION
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR UNE EXTENSION DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)This document discusses, among other things, an example systems and methods for memory expansion. An example embodiment includes receiving a memory request from a memory controller over a channel. Based on the memory request, the example embodiment includes selecting a location in memory to couple to a sub-channel of the channel and configuring the set of field effect transistors to couple the channel with the sub-channel. In the example embodiment, data may be allowed to flow between the memory controller and the location in the memory over the channel and the sub-channel.
(FR)L'invention concerne, entre autres choses, des systèmes et des procédés exemplaires pour une extension de mémoire. Un mode de réalisation exemplaire comprend la réception d'une demande de mémoire provenant d'un contrôleur de mémoire sur un canal. En fonction de la demande de mémoire, le mode de réalisation exemplaire comprend la sélection d'un emplacement dans une mémoire à coupler à un sous-canal du canal et la configuration de l'ensemble de transistors à effet de champ pour coupler le canal au sous-canal. Dans le mode de réalisation exemplaire, des données peuvent être autorisées à circuler entre le contrôleur de mémoire et l'emplacement dans la mémoire sur le canal et le sous-canal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)