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1. (WO2009089309) SCHÉMA D'INTÉGRATION POUR UNE EXTENSION D'UNE PROFONDEUR D'OUVERTURE DE TROU D'INTERCONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/089309    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030371
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 08.01.2009
CIB :
H01L 21/4763 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
VOLANT, Richard [US/US]; (US) (US Seulement).
JONES, Bradley [US/US]; (US) (US Seulement).
KEI, Ramona [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Yun [US/US]; (US) (US Seulement).
KNAUSS, Raymond [US/US]; (US) (US Seulement).
COLON, David [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : VOLANT, Richard; (US).
JONES, Bradley; (US).
KEI, Ramona; (US).
WANG, Yun; (US).
KNAUSS, Raymond; (US).
COLON, David; (US)
Mandataire : CAI, Yuanmin; International Business Machines Corporation, Bldg. 321, M/D 482, 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
11/971,996 10.01.2008 US
Titre (EN) INTEGRATION SCHEME FOR EXTENSION OF VIA OPENING DEPTH
(FR) SCHÉMA D'INTÉGRATION POUR UNE EXTENSION D'UNE PROFONDEUR D'OUVERTURE DE TROU D'INTERCONNEXION
Abrégé : front page image
(EN)An interconnect structure having an incomplete via opening is processed to deepen a via opening and to expose a metal line. In case the interconnect structure comprises a metal pad or a blanket metal layer, the metal pad or the metal layer is removed selective to an underlying dielectric layer to expose the incomplete via opening. Another dielectric layer is formed within the incomplete via opening to compensated for differences in the total dielectric thickness above the metal line relative to an optimal dielectric stack. A photoresist is applied thereupon and patterned. An anisotropic etch process for formation of a normal via opening may be employed with no or minimal modification to form a proper via opening and to expose the metal line. A metal pad is formed upon the metal line so that electrical contact is provided between the metal pad and the metal line.
(FR)L'invention concerne une structure d'interconnexion comportant une ouverture de trou d'interconnexion incomplète traitée pour approfondir le trou d'interconnexion et pour exposer une ligne de métal. Dans le cas où la structure d'interconnexion inclut une plage de métal ou une couche de métal de couverture, la plage de métal ou la couche de métal est enlevée sélectivement sur une couche diélectrique sous-jacente pour exposer l'ouverture de trou d'interconnexion incomplète. Une autre couche diélectrique est formée dans l'ouverture de trou d'interconnexion incomplète pour compenser des différences dans l'épaisseur diélectrique totale au-dessus de la ligne de métal par rapport à un empilement diélectrique optimal. Une résine photosensible y est appliquée et formée en motif. Un procédé de gravure anisotrope pour formation d'une ouverture de trou d'interconnexion normale peut être employé avec peu ou pas de modification pour former une ouverture de trou d'interconnexion correcte et pour exposer la ligne de métal. Une plage de métal est formée sur la ligne de métal, si bien qu'un contact électrique est fourni entre la plage de métal et la ligne de métal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)