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1. (WO2009089283) TRANSISTORS HYBRIDES À CANAL N À FAIBLE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/089283    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030332
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 07.01.2009
CIB :
H01L 29/10 (2006.01)
Déposants : THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY [US/US]; 3400 North Charles Street Baltimore, Maryland 23218 (US) (Tous Sauf US).
KATZ, Howard, Edan [US/US]; (US) (US Seulement).
PAL, Bhola, Nath [IN/US]; (US) (US Seulement).
SEE, Kevin, Cua [US/US]; (US) (US Seulement).
JUNG, Byung, Jun [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KATZ, Howard, Edan; (US).
PAL, Bhola, Nath; (US).
SEE, Kevin, Cua; (US).
JUNG, Byung, Jun; (US)
Mandataire : DALEY, Henry, J.; VENABLE LLP, P.O. Box 34385, Washington, District Of Columbia 20043-9998 (US)
Données relatives à la priorité :
61/010,289 07.01.2008 US
Titre (EN) LOW-VOLTAGE, N-CHANNEL HYBRID TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS HYBRIDES À CANAL N À FAIBLE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)Hybrid semiconducting-dielectric materials and electronic or electro-optic devices using the hybrid semiconducting-dielectric materials. Hybrid semiconducting-dielectric materials comprise molecules that have a core section that provides an n-type semiconducting property and side chains that provide a dielectric property to a layer of hybrid semiconducting-dielectric material. Specific hybrid semiconducting-dielectric materials include tetracarboxylic diimide compounds having sidechains comprising fluorine substituted aliphatic or aromatic moieties linked to the tetracarboxylic diimide structure by an alkylene or heteroalkylene linking group.
(FR)L'invention porte sur des matériaux hybrides semi-conducteur-diélectrique et sur des dispositifs électroniques ou électro-optiques utilisant les matériaux hybrides semi-conducteur-diélectrique. Les matériaux hybrides semi-conducteur-diélectrique comprennent des molécules qui ont une section centrale qui fournit une propriété de semi-conduction de type n et des chaînes latérales qui fournissent une propriété diélectrique à une couche de matériau hybride semi-conducteur-diélectrique. Des matériaux hybrides semi-conducteur-diélectrique spécifiques comprennent des composés tétracarboxyliques diimide ayant des chaînes latérales comprenant des fractions aliphatiques ou aromatiques substituées par du fluor liées à la structure tétracarboxylique diimide par un groupe de liaison alkylène ou hétéroalkylène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)