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1. (WO2009089201) CELLULE SOLAIRE CONTENANT UN NITRURE DU GROUPE III À GRADIENT DE COMPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/089201    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030192
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 06.01.2009
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : ROSESTREET LABS ENERGY, INC. [US/US]; 3701 E. University Drive, Phoenix, AZ 85034 (US) (Tous Sauf US).
WALUKIEWICZ, Wladyslaw [PL/US]; (US) (US Seulement).
AGER, Joel, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
YU, Kin, Man [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WALUKIEWICZ, Wladyslaw; (US).
AGER, Joel, W.; (US).
YU, Kin, Man; (US)
Mandataire : BLANCHE, Bradley, D.; Greenberg Traurig, LLP, 2450 Colorado Avenue, Suite 400E, Santa Monica, CA 90404 (US)
Données relatives à la priorité :
61/019,536 07.01.2008 US
12/348,127 02.01.2009 US
Titre (EN) GROUP III-NITRIDE SOLAR CELL WITH GRADED COMPOSITIONS
(FR) CELLULE SOLAIRE CONTENANT UN NITRURE DU GROUPE III À GRADIENT DE COMPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)A compositionally graded Group Ill-nitride alloy is provided for use in a solar cell. In one or more embodiment, an alloy of either InGaN or InAIN formed in which the In composition is graded between two areas of the alloy. The compositionally graded Group Ill-nitride alloy can be utilized in a variety of types of solar cell configurations, including a single P-N junction solar cell having tandem solar cell characteristics, a multijunction tandem solar cell, a tandem solar cell having a low resistance tunnel junction and other solar cell configurations. The compositionally graded Group Ill-nitride alloy possesses direct band gaps having a very large tuning range, for example extending from about 0.7 to 3.4 eV for InGaN and from about 0.7 to 6.2 eV for InAIN.
(FR)L'invention concerne un alliage de nitrure du groupe III à gradient de composition destiné à être utilisé dans une cellule solaire. Dans un mode de réalisation, est formé un alliage d'InGaN ou d'InAIN, qui comporte un gradient de composition d'In entre deux régions de l'alliage. L'alliage de nitrure du Groupe III à gradient de composition peut être utilisé dans divers types de configurations de cellule solaire, notamment une cellule solaire à une seule jonction P-N ayant des caractéristiques de cellule solaire tandem, une cellule tandem multijonction, une cellule solaire tandem ayant une jonction tunnel de faible résistance et d'autres configurations de cellules solaires. L'alliage de nitrure du groupe III à gradient de composition possède des largeurs de bande interdites directes dont la plage d'accord est très grande, et s'étend par exemple d'environ 0,7 à 3,4 eV pour InGaN et d'environ 0,7 à 6,2 eV pour InAIN.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)