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1. (WO2009088628) MÉMOIRE VIVE STATIQUE AYANT DES CELLULES À TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À JONCTION ET À JONCTION BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/088628    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/086311
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 11.12.2008
CIB :
G11C 11/41 (2006.01)
Déposants : DSM SOLUTIONS, INC. [US/US]; 130 Knowles Drive, Suite D, Los Gatos, CA 95032 (US) (Tous Sauf US).
KAPOOR, Ashok, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
THUMMALAPALLY, Damodar, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
RAY, Abhijit (NMI) [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KAPOOR, Ashok, K.; (US).
THUMMALAPALLY, Damodar, R.; (US).
RAY, Abhijit (NMI); (US)
Mandataire : BHAVSAR, Samir, A.; Baker Botts L.L.P., 2001 Ross Avenue, Suite 600, Dallas, TX 75201 (US)
Données relatives à la priorité :
12/006,349 31.12.2007 US
Titre (EN) STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING CELLS WITH JUNCTION FIELD EFFECT AND BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
(FR) MÉMOIRE VIVE STATIQUE AYANT DES CELLULES À TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À JONCTION ET À JONCTION BIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A static random access memory (SRAM) device can include at least one SRAM cell having storage section that includes at least a first junction field effect transistor (JFET) with a gate terminal formed from a semiconductor layer deposited on a substrate surface. The storage section can also include at least a first storage node that provides a potential corresponding to a stored data value. The SRAM cell further includes a first access section that includes at least a first bipolar junction transistor (BJT) having an emitter formed from the semiconductor layer.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de mémoire vive statique (SRAM) qui peut comprendre au moins une cellule SRAM ayant une section de stockage qui comprend au moins un premier transistor à effet de champ à jonction (JFET) avec une borne de grille formée à partir d'une couche de semi-conducteur déposée sur une surface de substrat. La section de stockage peut également comprendre au moins un premier nœud de stockage qui fournit un potentiel correspondant à une valeur de données stockée. La cellule SRAM comprend en outre une première section d'accès qui comprend au moins un premier transistor à jonction bipolaire (BJT) ayant un émetteur formé à partir de la couche de semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)