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1. (WO2009088588) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE STRUCTURES DE GRILLE MÉTALLIQUE DE PMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/088588    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/085249
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 02.12.2008
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
METZ, Matthew V. [US/US]; (US) (US Seulement).
DOCZY, Mark L. [US/US]; (US) (US Seulement).
DEWEY, Gilbert [US/US]; (US) (US Seulement).
KAVALIEROS, Jack [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : METZ, Matthew V.; (US).
DOCZY, Mark L.; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
KAVALIEROS, Jack; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.; BLAKELY SOKOLOFF TAYLOR & ZAFMAN, 1279 Oakmead Parkway, Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/968,099 31.12.2007 US
Titre (EN) METHODS FOR FABRICATING PMOS METAL GATE STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE STRUCTURES DE GRILLE MÉTALLIQUE DE PMOS
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming a microelectronic structure are described. Those methods may include forming a gate dielectric layer on a substrate, forming a metal gate layer on the gate dielectric layer, and then forming a polysilicon layer on the metal gate layer in situ, wherein the metal gate layer is not exposed to air.
(FR)L'invention porte sur des procédés de formation d'une structure microélectronique. Ces procédés peuvent comprendre la formation d'une couche diélectrique de grille sur un substrat, la formation d'une couche de grille métallique sur la couche diélectrique de grille, puis la formation d'une couche de polysilicium sur la couche de grille métallique in situ, la couche de grille métallique n'étant pas exposée à l'air.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)