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1. (WO2009088452) STRUCTURE DE RÉGION DE DÉRIVE DE CHAMP ÉLECTRIQUE EN DENTS DE SCIE AMÉLIORÉE POUR DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/088452    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/014038
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 23.12.2008
CIB :
H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD [US/US]; 495 Mercury Drive Sunnyvale, CA 94085 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BOBDE, Madhur; (US)
Mandataire : LIN, Bo-In; 13445 Mandoli Drive, Los Altos Hills, CA 94022 (US)
Données relatives à la priorité :
12/006,399 31.12.2007 US
Titre (EN) IMPROVED SAWTOOTH ELECTRIC FIELD DRIFT REGION STRUCTURE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) STRUCTURE DE RÉGION DE DÉRIVE DE CHAMP ÉLECTRIQUE EN DENTS DE SCIE AMÉLIORÉE POUR DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)This invention discloses a semiconductor power device formed in a semiconductor substrate. The semiconductor power device further includes rows of multiple horizontal columns of thin layers of alternate conductivity types in a drift region of the semiconductor substrate where each of the thin layers has a thickness to enable a punch through the thin layers when the semiconductor power device is turned on. This device allows for a near ideal rectangular electric field profile at breakdown voltage with sawtooth like ridges In another exemplary embodiment, the semiconductor power device further includes a sawtooth insulated gate bipolar transistor (IGBT). In another exemplary embodiment, the semiconductor power device further includes a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). In another exemplary embodiment, the semiconductor power device further includes a power diode.
(FR)Cette invention porte sur un dispositif de puissance à semi-conducteur formé dans un substrat semi-conducteur. Le dispositif de puissance à semi-conducteur comprend en outre des rangées de multiples colonnes horizontales de minces couches de types de conductivité alternés dans une région de dérive du substrat semi-conducteur, chacune des minces couches ayant une épaisseur qui permet une perforation à travers les minces couches lorsque le dispositif de puissance à semi-conducteur est mis sous tension. Ce dispositif permet un profil de champ électrique rectangulaire presque idéal à la tension de plaquage avec des nervures en dents de scie. Dans un autre mode de réalisation à titre d'exemple, le dispositif de puissance à semi-conducteur comprend en outre un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) en dents de scie. Dans un autre mode de réalisation à titre d'exemple, le dispositif de puissance à semi-conducteur comprend en outre un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Dans un autre mode de réalisation à titre d'exemple, le dispositif de puissance à semi-conducteur comprend en outre une diode de puissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)