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1. (WO2009088410) DISPOSITIFS ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET ÉQUIPÉS DE STRUCTURES LUMINOPHORES À HAUT RENDEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/088410    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/013280
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 02.12.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.11.2009    
CIB :
H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/58 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703 (US) (Tous Sauf US).
CHAKRABORTY, Arpan [IN/US]; (US) (US Seulement).
KELLER, Bernd [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHAKRABORTY, Arpan; (US).
KELLER, Bernd; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, North Carolina 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
11/969,508 04.01.2008 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICES WITH HIGH EFFICIENCY PHOSPOR STRUCTURES
(FR) DISPOSITIFS ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET ÉQUIPÉS DE STRUCTURES LUMINOPHORES À HAUT RENDEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting device includes a light emitting die (24) configured to emit light having a first dominant wavelength, and an index matched wavelength conversion structure (10, 60) configured to receive light emitted by the light emitting die (24). The index matched wavelength conversion structure (10, 60) includes wavelength converting particles (14) having a first index of refraction embedded in a matrix material (12). The matrix material (12) has a second index of refraction that may be substantially matched to the first index of refraction. The light emitting device may include a graded index layer (50) having an index of refraction that is continuously graded from a first index of refraction in a first region of the graded index layer (50) near the light emitting die (24) to a second index of refraction in the graded index layer (50) away from the light emitting die (24).
(FR)L'invention décrit un dispositif émettant de la lumière. Le dispositif comporte une puce électroluminescente conçue pour émettre une lumière munie d'une première longueur d'onde dominante; et une structure de conversion de longueur d'onde à adaptation d'indice conçue pour recevoir une lumière émise par la puce électroluminescente. La structure de conversion de longueur d'onde à adaptation d'indice comporte des particules de conversion de longueur d'onde munis d'un premier indice de réfraction incorporé dans un matériau de matrice. Le matériau de matrice présente un second indice de réfraction qui peut être sensiblement le même que le premier indice de réfraction. Le dispositif émettant de la lumière peut comprendre une couche à gradient d'indice munie d'un indice de réfraction à gradient continu du premier indice de réfraction d'une première région de la couche à gradient d'indice proche de la puce électroluminescente au second indice de réfraction de la couche à gradient d'indice à distance de la puce électroluminescente.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)