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1. (WO2009088138) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/088138    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/004116
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 11.07.2008
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 20, Yeouido-Dong, Yeongdeungpo-Gu, Seoul 150-721 (KR) (Tous Sauf US).
JUNG, Il-Hyoung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YUN, Ju-Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jong-Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : JUNG, Il-Hyoung; (KR).
YUN, Ju-Hwan; (KR).
KIM, Jong-Hwan; (KR)
Mandataire : HWANG, E-Nam; 6F., KOITA Bldg., 20-17, Yangjae-Dong, Seocho-Ku, Seoul 137-888 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0001764 07.01.2008 KR
Titre (EN) SOLAR CELL AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A back contact solar cell comprises a first dopant diffusion part and a second dopant diffusion part formed on a rear surface of an n-type semiconductor wafer with a predetermined distance formed therebetween by a diffusion prevention part for ensuring no contact with each other and suppressing the diffusion of dopant; and an electrode configured of an anode and a cathode each connected to the first dopant diffusion part and the second dopant diffusion part. According to the present invention, the back contact solar cell is capable of preventing light loss and improving its efficiency by forming an electrode to be positioned on a rear surface of a semiconductor wafer through a simple process and by simultaneously implementing an anode electrode and a cathode electrode on the semiconductor wafer without having a grid electrode restricting incidence of sunlight.
(FR)L'invention porte sur une cellule solaire à contact arrière, qui comprend une première partie de diffusion de dopant et une seconde partie de diffusion de dopant formées sur une surface arrière d'une tranche semi-conductrice de type n, avec une distance prédéterminée formée entre celles-ci par une partie empêchant une diffusion pour s'assurer qu'aucun contact n'existe entre elles et supprimer la diffusion de dopant; et une électrode constituée d'une anode et d'une cathode, chacune connectée à la première partie de diffusion de dopant et à la seconde partie de diffusion de dopant. Selon la présente invention, la cellule solaire à contact arrière est capable d'empêcher une perte de lumière et d'améliorer son rendement par la formation d'une électrode devant être positionnée sur une surface arrière d'une tranche semi-conductrice par un procédé simple et par mise en œuvre simultanée d'une électrode d'anode et d'une électrode de cathode sur la tranche semi-conductrice, sans avoir une électrode de grille limitant l'incidence de la lumière du soleil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)