WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009087958) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/087958    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/000009
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 06.01.2009
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
HIDAKA, Yoshiharu; (US Seulement).
SUGANO, Kou; (US Seulement)
Inventeurs : HIDAKA, Yoshiharu; .
SUGANO, Kou;
Mandataire : FUKUI, Toyoaki; Room 860, Uchihonmachi Matsuya Bldg.10th, 1-19, Uchihonmachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400026 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-005026 11.01.2008 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)In a production method for a semiconductor device relating to the present invention, first, a pattern of a resist film made of organic polymers is formed on a semiconductor substrate. Next, impurity ions with 1 x 1014 cm-2 or greater of dose amount are implanted into the semiconductor substrate using the resist film pattern as a mask. The resist film pattern mask is removed sequentially through an oxidation treatment, swelling treatment and removal treatment. In the oxidation treatment, a treatment to oxidize a hardened layer formed in a surface portion of the resist film pattern by the ion implantation is implemented. In the swelling treatment, a treatment to swell the organic polymers composing the resist film pattern where the hardened layer has been oxidized using a chemical solution is implemented. In the removal treatment, the swollen resist film pattern is removed using the chemical solution used for the swelling treatment.
(FR)Dans un procédé de fabrication pour un dispositif à semi-conducteurs apparenté à la présente invention, tout d'abord, un motif d'un film de réserve fait de polymères organiques est formé sur un substrat semi-conducteur. Ensuite, des ions d'impureté avec une quantité de dose de 1 x 1014 cm-2 ou plus sont implantés dans le substrat semi-conducteur à l'aide du motif de film de réserve en tant que masque. Le masque de motif de film de réserve est éliminé séquentiellement par l'intermédiaire d'un traitement d'oxydation, d'un traitement de gonflement et d'un traitement d'élimination. Dans le traitement d'oxydation, un traitement pour oxyder une couche durcie formée dans une partie de surface du motif de film de réserve par l'implantation d'ions est mis en œuvre. Dans le traitement de gonflement, un traitement pour gonfler les polymères organiques composant le motif de film de réserve où la couche durcie a été oxydée à l'aide d'une solution chimique est mis en œuvre. Dans le traitement d'élimination, le motif de film de résist gonflé est éliminé à l'aide de la solution chimique utilisée pour le traitement de gonflement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)