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1. (WO2009087950) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/087950    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073953
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 25.12.2008
CIB :
H01L 21/822 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01), G05F 1/56 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H02M 3/155 (2006.01)
Déposants : RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo, 1438555 (JP) (Tous Sauf US).
NAGATA, Toshihisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGATA, Toshihisa; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo, 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-004146 11.01.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a switching signal generating circuit formed of a PMOS transistor, a resistor, and inverters which outputs an internal switching signal for switching an operating mode between a first operating mode and a second operating mode when an operating state satisfies a predetermined condition, a mode selection pad to which an external switching signal capable of selecting the first operating mode is input in priority to the internal switching signal, and a switching circuit formed of an OR circuit which switches the operating mode between the first operating mode and the second operating mode based on the external switching signal or the internal switching signal. An output from the switching signal generating circuit is input to the mode selection pad via a trimming fuse.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs. Le dispositif à semi-conducteurs comprend un circuit de génération de signal de commutation formé d'un transistor PMOS, d'une résistance et d'inverseurs, qui émet un signal de commutation interne pour commuter un mode de fonctionnement entre un premier mode de fonctionnement et un second mode de fonctionnement lorsqu'un état de fonctionnement satisfait une condition prédéterminée, une plage de connexion de sélection de mode sur laquelle un signal de commutation externe capable de sélectionner le premier mode de fonctionnement est mis en entrée en priorité par rapport au signal de commutation interne, et un circuit de commutation formé d'un circuit OU qui commute le mode de fonctionnement entre le premier mode de fonctionnement et le second mode de fonctionnement sur la base du signal de commutation externe ou du signal de commutation interne. Une sortie provenant du circuit de génération de signal de commutation est mise en entrée sur la plage de connexion de sélection de mode par l'intermédiaire d'un fusible d'appoint.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)