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1. (WO2009087889) MONOMÈRE POLYMÉRISABLE CONTENANT DU FLUOR, POLYMÈRE CONTENANT DU FLUOR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/087889    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073326
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 22.12.2008
CIB :
C08F 20/26 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/38 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; Umeda Center Building, 4-12, Nakazaki-Nishi 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka, 5308323 (JP) (Tous Sauf US).
YAMASHITA, Tsuneo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KISHIKAWA, Yosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Yoshito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORITA, Masamichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMASHITA, Tsuneo; (JP).
KISHIKAWA, Yosuke; (JP).
TANAKA, Yoshito; (JP).
MORITA, Masamichi; (JP)
Mandataire : ASAHINA, Sohta; NS Building, 2-22, Tanimachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5400012 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-004932 11.01.2008 JP
Titre (EN) POLYMERIZABLE FLUORINE-CONTAINING MONOMER, FLUORINE-CONTAINING POLYMER AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) MONOMÈRE POLYMÉRISABLE CONTENANT DU FLUOR, POLYMÈRE CONTENANT DU FLUOR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) 重合性含フッ素単量体および含フッ素重合体ならびにレジストパターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a polymerizable fluorine-containing monomer which is suitable for a resist layer and a protective layer in a resist multilayer body for forming a fine pattern during production of a semiconductor device or the like. This polymerizable fluorine-containing monomer is particularly useful in immersion lithography wherein water is used as a liquid medium. Also disclosed are a fluorine-containing polymer and a method for forming a resist pattern. Specifically disclosed is a polymerizable fluorine-containing monomer represented by the formula (1) below. Also disclosed are a homopolymer or copolymer of such a polymerizable fluorine-containing monomer, and a method for forming a resist pattern by immersion lithography using such a polymerizable fluorine-containing monomer, or a homopolymer or copolymer thereof. (1) (In the formula, R1 represents a hydrogen atom, or a chain or cyclic, saturated or unsaturated monovalent hydrocarbon group having 1-15 carbon atoms which may contain an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or a halogen atom.)
(FR)L'invention concerne un monomère polymérisable contenant du fluor qui convient à la formation d'une couche de réserve et d'une couche protectrice dans un corps multicouche de réserve pour former un motif fin pendant la production d'un dispositif semi-conducteur ou d'un composant similaire. Ce monomère polymérisable contenant du fluor est particulièrement utile en lithographie par immersion dans laquelle de l'eau est utilisée comme milieu liquide. L'invention concerne également un polymère contenant du fluor et un procédé de formation d'un motif de réserve. Elle concerne spécifiquement un monomère polymérisable contenant du fluor représenté par la formule (1) ci-dessous. Elle concerne aussi un homopolymère ou un copolymère de ce monomère polymérisable contenant du fluor, et un procédé de formation d'un motif de réserve par lithographie par immersion utilisant ce monomère polymérisable contenant du fluor, ou l'un de ses homopolymères ou copolymères. (1) (dans la formule, R1 représente un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarboné monovalent linéaire ou cyclique, saturé ou insaturé contenant 1-15 atomes de carbone, qui peut contenir un atome d'oxygène, un atome de soufre ou un atome d'halogène.)
(JA) 半導体装置の製造等における微細パターンを形成するためのレジスト積層体のレジスト層や保護層などに好適で、さらには水を液状媒体に用いる液浸リソグラフィーにおいて特に有用な重合性含フッ素単量体および含フッ素重合体ならびにレジストパターン形成方法であって、式(1): (式中、R1は水素原子または酸素原子、窒素原子、硫黄原子もしくはハロゲン原子を含んでいてもよい鎖状もしくは環状の飽和もしくは不飽和の1価の炭素数1~15の炭化水素基)で示される重合性含フッ素単量体、その単独または共重合体、これらを用いた液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)