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1. (WO2009087888) CONVERTISSEUR À RÉSONANCE DE COURANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/087888    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073308
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 22.12.2008
CIB :
H02M 3/155 (2006.01), H02M 3/00 (2006.01)
Déposants : TDK-Lambda Corporation [JP/JP]; Dempa Bldg., 1-11-15 Higashi-Gotanda, Shinagawa-ku Tokyo, 1410022 (JP) (Tous Sauf US).
TOMIOKA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOMIOKA, Satoshi; (JP)
Mandataire : USHIKI, Mamoru; 3rd Fl., Yusei Fukushi Kotohira Bldg., 14-1 Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-002520 09.01.2008 JP
Titre (EN) CURRENT RESONANT CONVERTER
(FR) CONVERTISSEUR À RÉSONANCE DE COURANT
(JA) 電流共振形コンバータ
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] This object aims to provide a current resonant converter capable of sweeping away the problem that a voltage between both terminals of a switching element is affected by parasitic capacitance included in the switching element and oscillates significantly. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A current resonant converter comprises a current resonant circuit (5) for, after a switching element (S1) is brought into an on-state, supplying a resonant current having a sine wave shape to the switching element (S1). The switching element (S1) includes a parasitic capacitance (Cs) connected between one end and the other end of the switching element (S1) and a body diode (Dbody) connected in anti-parallel with the switching element (S1). A diode (Dc) is connected between one end of the switching element (S1) and a line for an output voltage (Vo). When the parasitic capacitance (Cs) is charged by the resonant current of the current resonant circuit (5) and the drain-source voltage (VDS) of the switching element (S1) rises up to the output voltage (Vo) after the switching element (S1) is brought into the on-state, the diode (Dc) is conducted.
(FR)La présente invention a pour objet un convertisseur à résonance de courant capable de supprimer le problème qu'une tension entre deux bornes d'un élément de commutation soit affectée par une capacité parasite comprise dans l'élément de commutation et oscille fortement. Le convertisseur à résonance de courant selon l'invention comprend un circuit à résonance de courant (5) afin de fournir, après qu'un élément de commutation (S1) a été mis dans un état passant, un courant résonnant ayant une forme d'onde sinusoïdale à l'élément de commutation (S1). L'élément de commutation (S1) comprend une capacité parasite (Cs) connectée entre une extrémité et l'autre extrémité de l'élément de commutation (S1), et une diode intrinsèque (Dbody) connectée en antiparallèle avec l'élément de commutation (S1). Une diode (Dc) est connectée entre une extrémité de l'élément de commutation (S1) et une ligne prévue pour une tension de sortie (Vo). Lorsque la capacité parasite (Cs) est chargée par le courant résonnant du circuit à résonance de courant (5) et que la tension drain-source (VDS) de l'élément de commutation (S1) s'élève jusqu'à la tension de sortie (Vo) après que l'élément de commutation (S1) a été amené à l'état passant, la diode (Dc) est conductrice.
(JA)【課題】スイッチング素子の両端間電圧が、当該スイッチング素子に内蔵する寄生容量の影響を受けて大きく振動する問題を一掃できる電流共振形コンバータを提供する。 【解決手段】スイッチング素子S1がオン状態になった後に、当該スイッチング素子S1に正弦波状の共振電流を供給する電流共振回路5を備える。スイッチング素子S1は、その一端と他端との間に接続された寄生容量Csと、逆並列接続されたボディダイオードDbodyとを内蔵して有する。ここでは、スイッチング素子S1がオン状態になった後、電流共振回路5の共振電流によって寄生容量Csが充電され、スイッチング素子S1のドレイン・ソース間電圧VDSが出力電圧Voまで上昇すると導通するダイオードDcを、スイッチング素子S1の一端と出力電圧Voのラインとの間に接続している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)