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1. (WO2009087712) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/087712    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/003521
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 28.11.2008
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
ENDOU, Masayuki; (US Seulement).
SASAGO, Masaru; (US Seulement)
Inventeurs : ENDOU, Masayuki; .
SASAGO, Masaru;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi, 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-001860 09.01.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR PATTERN FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)A resist film (102) formed of a positive-working chemical amplification resist is formed on a substrate (101), and a light absorbing film (103) containing a fluoropolymer, which is soluble in an alkali and has an aromatic ring, is formed on the resist film (102). Thereafter, a first exposure light (104) of an extreme ultraviolet light through a first mask is irradiated to the resist film (102) through the light absorbing film (103) to perform first pattern exposure. Subsequently, an exposure light (105) through a second mask is irradiated to the resist film (102) through the light absorbing film (103) to perform second pattern exposure. The substrate is heated, and the resist film (102) is then developed to remove the light absorbing film (103) and to form a resist pattern (102a) from the resist film (102). The second mask has an opening part in areas corresponding to a non-opening part, in the first mask, where no opening is provided.
(FR)Selon l'invention, un film de résist (102), formé d'un résist à amplification chimique à fonctionnement positif, est formé sur un substrat (101), et un film absorbant la lumière (103) contenant un fluoropolymère, qui est soluble dans un alcali et possède un noyau aromatique, est formé sur le film de résist (102). Ensuite, une première lumière d'exposition (104) d'un rayonnement ultraviolet extrême à travers un premier masque est envoyée vers le film de résist (102) à travers le film absorbant la lumière (103), pour effectuer une première exposition de motif. Ensuite, une lumière d'exposition (105) à travers un second masque est envoyée vers le film de résist (102) à travers le film absorbant la lumière (103) pour effectuer une seconde exposition de motif. Le substrat est chauffé, et le film de résist (102) est ensuite développé pour retirer le film absorbant la lumière (103) et pour former un motif de résist (102a) à partir du film de résist (102). Le second masque présente une partie d'ouverture dans des zones qui correspondent à une partie non ouverte, dans le premier masque, dans laquelle aucune ouverture n'est formée.
(JA) 基板(101)の上にポジ型化学増幅レジストからなるレジスト膜(102)を形成し、その上にアルカリ可溶で芳香環を有するフッ素ポリマーを含む光吸収膜(103)を形成する。その後、第1のマスクを介した極紫外線からなる第1の露光光(104)をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第1のパターン露光を行う。続いて、第2のマスクを介した露光光(105)をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第2のパターン露光を行う。基板を加熱した後、レジスト膜を現像して光吸収膜を除去すると共にレジスト膜からレジストパターン(102a)を形成する。第2のマスクの開口部は、第1のマスクにおける開口部が形成されていない非開口部に相当する領域に形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)