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1. (WO2009087656) CAPTEUR DE GAZ COMBUSTIBLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/087656    N° de la demande internationale :    PCT/IN2008/000717
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 31.10.2008
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
Déposants : COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH [IN/IN]; (An Indian registered body incorporated under Regi stration of Societies Act (Act XXI of 1860)) Rafi Marg New Delhi 110 001 (IN) (Tous Sauf US).
KUMAR, Vipin [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
JAIN, Kiran [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
LAKSHMIDUMAR, S.T. [IN/IN]; (IN) (US Seulement).
RAGHAVANDRA, T. [IN/IN]; (IN) (US Seulement)
Inventeurs : KUMAR, Vipin; (IN).
JAIN, Kiran; (IN).
LAKSHMIDUMAR, S.T.; (IN).
RAGHAVANDRA, T.; (IN)
Mandataire : SALHOTRA, Anuradha; Lall Lahiri & Salhotra, Plot N° B-28, Sector-32, Institutional Area, Gurgaon 122 001, Haryana (IN)
Données relatives à la priorité :
062/DEL/2008 07.01.2008 IN
Titre (EN) COMBUSTIBLE GAS SENSOR
(FR) CAPTEUR DE GAZ COMBUSTIBLES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a sensor for combustible gas. The present invention also provides a process for the fabrication of a LPG gas sensor with planar thick film technology. The present invention particularly provides the manufacturing of semi conducting SnO2 based bi - layer sensor where the composition of the first layer comprises SnO2, Pt and rare earth metals and that of the second layer comprises Pt, Nb and Si, the second layer being dip coated on the first. The (3) main steps involved in fabrication of the sensor are (i) the sensor is a bi - layer structure where stability, sensitivity and selectivity have been achieved by a single step in providing a top layer by dip coating (ii) miniaturizing the size of the sensor heater, which leads to less power consumption (iii) providing a support to the fragile electrical leads.
(FR)L'invention concerne un capteur pour gaz combustibles. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un capteur de gaz LPG avec la technologie des couches épaisses planes. La présente invention concerne plus particulièrement la fabrication d'un capteur bicouche basé sur du SnO2 semi-conducteur, la composition de la première couche incluant SnO2, Pt et des métaux de terres rares et celle de la seconde couche incluant Pt, Nb et Si, la seconde couche étant enrobée par immersion sur la première. Les trois principales opérations de la fabrication du capteur sont : (i) le capteur est une structure bicouche dont la stabilité, la sensibilité et la sélectivité ont été obtenues par une seule opération en fournissant une couche supérieure par enrobage par immersion, (ii) la miniaturisation du réchauffeur de capteur, ce qui entraîne une diminution de la consommation électrique et (iii) la fourniture d'un support aux fils électriques fragiles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)