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1. (WO2009087531) CAPTEUR DE LUMIÈRE AVEC DÉTECTION D'INTENSITÉ ET DE DIRECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/087531    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/055547
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 26.12.2008
CIB :
G01J 1/02 (2006.01), G01J 1/04 (2006.01), G01J 1/06 (2006.01), G01J 1/16 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; NXP Semiconductors IP & L, High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
SOUCHKOV, Vitali [RU/US]; (US) (US Seulement).
VAN DALEN, Robert [NL/NL]; (US) (US Seulement).
O'MATHUNA, Padraig [IE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SOUCHKOV, Vitali; (US).
VAN DALEN, Robert; (US).
O'MATHUNA, Padraig; (US)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul; c/o NXP Semiconductors, IP & L Department, Betchworth House, 57-65 Station Road, Redhill Surrey RH1 1DL (GB)
Données relatives à la priorité :
61/018,562 02.01.2008 US
Titre (EN) LIGHT SENSOR WITH INTENSITY AND DIRECTION DETECTION
(FR) CAPTEUR DE LUMIÈRE AVEC DÉTECTION D'INTENSITÉ ET DE DIRECTION
Abrégé : front page image
(EN)A light sensor and light sensing system to detect an intensity of incident light and an angle of incidence of the incident light. The light sensor includes a dielectric layer, a plurality of photo detectors coupled relative to the dielectric layer, and a plurality of stacks of opaque slats embedded within the dielectric layer. The dielectric layer is substantially transparent to the incident light. The photo detectors detect the incident light through the dielectric layer. The stacks of opaque slats are approximately parallel to an interface between the dielectric layer and the photo detectors. The stacks of opaque slats define light apertures between adjacent stacks of opaque slats. At least some of the stacks of opaque slats are arranged at a non-zero angle relative to other stacks of the opaque slats.
(FR)L'invention porte sur un capteur de lumière et sur un système de détection de lumière pour détecter une intensité d'une lumière incidente et un angle d'incidence de la lumière incidente. Le capteur de lumière comprend une couche diélectrique, une pluralité de photodétecteurs couplés par rapport à la couche diélectrique, et une pluralité d'empilements de lamelles opaques incorporées à l'intérieur de la couche diélectrique. La couche diélectrique est sensiblement transparente à la lumière incidente. Les photodétecteurs détectent la lumière incidente à travers la couche diélectrique. Les empilements de lamelles opaques sont approximativement parallèles à une interface entre la couche diélectrique et les photodétecteurs. Les empilements de lamelles opaques définissent des ouvertures de lumière entre des empilements adjacents de lamelles opaques. Au moins certains des empilements de lamelles opaques sont disposés selon un angle non nul par rapport à d'autres empilements de lamelles opaques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)