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1. (WO2009087482) AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/087482    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/003848
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 23.10.2008
CIB :
H03F 3/45 (2006.01)
Déposants : ARCTIC SILICON DEVICES AS [NO/NO]; Vestre Rosten 81, NO-7075 Tiller (NO) (Tous Sauf US)
Inventeurs : MOLDSVOR, Oystein; (NO)
Données relatives à la priorité :
60/987,118 12.11.2007 US
Titre (EN) LOW NOISE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment of an LNA includes a voltage input, a voltage output, an input transistor connected as a source follower with a current source at the drain and source nodes of the input transistor, an input resistor connected between the source follower source node and signal ground, a gain boosting transistor with the gate connected to the input transistor drain node, wherein the source node is connected to ground and the drain node is connected through a load resistor to the input transistor source node. Such an LNA provides substantial improvement in power efficiency by adapting an output stage of the LNA to reuse the supply current of the input transistors to the LNA through a load resistor.
(FR)Un mode de réalisation de la présente invention porte sur un amplificateur à faible bruit (LNA) qui comprend une entrée de tension; une sortie de tension; un transistor d'entrée connecté comme suiveur de source à une source de courant au niveau des nœuds de drain et de source du transistor d'entrée; une résistance d'entrée connectée entre le nœud de source du suiveur de source et une masse de signal; un transistor d'amplification de gain dont la grille est connectée au nœud de drain du transistor d'entrée, le nœud de source étant connecté à la masse et le nœud de drain étant connecté par une résistance de charge au nœud de source du transistor d'entrée. Un tel amplificateur à faible bruit permet une amélioration substantielle du rendement de puissance par adaptation d'un étage de sortie de l'amplificateur à faible bruit pour réutiliser le courant d'alimentation des transistors d'entrée vers l'amplificateur à faible bruit par l'intermédiaire d'une résistance de charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)