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1. (WO2009086782) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/086782    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/073884
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 31.12.2008
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/00 (2006.01)
Déposants : BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; No. 1 East Jiuxianqiao Road, Chaoyang District, Beijing 100016 (CN) (Tous Sauf US).
NAN, Jianhui [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : NAN, Jianhui; (CN)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; ZHANG, Tianshu, Room 718, Beijing Capital Times Square, 88 Xichang'an Avenue, Xicheng District, Beijing 100031 (CN)
Données relatives à la priorité :
200810055657.2 04.01.2008 CN
Titre (EN) A PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(ZH) 等离子体处理装置
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing apparatus, comprises: a RF driving electrode(25) and a passive electrode (22) mounted face to face; a first grounded ring (23) surrounding but insulated from the passive electrode (22); a second grounded ring (26) surrounding but insulated from the RF drive electrode(25); wherein the RF driving electrode (25) is connected with a first RF source (271) and a second RF source (272) respectively, a first impedance adjusting element is connected in series between the passive electrode (22) and the grounding. The plasma processing apparatus overcomes the shortcoming that plasma energy is only changed over among some certain isolated points, and thus the technical process with different plasma density requirements can be carried out in one and the same reaction chamber.
(FR)L'invention porte sur un appareil de traitement par plasma qui comprend : une électrode d'excitation RF (25) et une électrode passive (22) montées face à face ; un premier anneau mis à la masse (23) entourant mais isolé de l'électrode passive (22) ; un second anneau mis à la masse (26) entourant mais isolé de l'électrode d'excitation RF (25) ; l'électrode d'excitation RF (25) étant connectée à une première source RF (271) et une seconde source RF (272) respectivement, un premier élément d'adaptation d'impédance étant connecté en série entre l'électrode passive (22) et la masse. L'appareil de traitement par plasma résout l'inconvénient selon lequel l'énergie du plasma est seulement commutée parmi certains points isolés, et le procédé technique avec différentes exigences de densité de plasma peut donc être exécuté dans une seule et même chambre de réaction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)