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1. (WO2009085974) FILM DE NITRURE DE SILICIUM À BASSE VITESSE DE DÉCAPAGE PAR PROCÉDÉ HUMIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085974    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/087465
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 18.12.2008
CIB :
C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/513 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
MUNGEKAR, Hemant, P. [IN/US]; (US) (US Seulement).
WU, Jing [CN/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Young, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Anchuan [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MUNGEKAR, Hemant, P.; (US).
WU, Jing; (US).
LEE, Young, S.; (US).
WANG, Anchuan; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene; Townsend and Townsend and Crew LLP 1200 17th Street, Suite 2700 Denver, Colorado 80202 (US)
Données relatives à la priorité :
11/962,674 21.12.2007 US
Titre (EN) LOW WET ETCH RATE SILICON NITRIDE FILM
(FR) FILM DE NITRURE DE SILICIUM À BASSE VITESSE DE DÉCAPAGE PAR PROCÉDÉ HUMIDE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention pertains to methods of depositing low wet etch rate silicon nitride films on substrates using high-density plasma chemical vapor deposition techniques at substrate temperatures below 600°C. The method additionally involves the maintenance of a relatively high ratio of nitrogen to silicon in the plasma and a low process pressure.
(FR)La présente invention concerne des procédés de dépôt de films de nitrure de silicium à basse vitesse de décapage par voie humide sur des substrats. Ledit procédé utilise des techniques de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma haute densité à des températures de substrat inférieures à 600°C. Le procédé implique, en plus, le maintien d'un rapport relativement élevé de l'azote au silicium dans le plasma et une basse pression de procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)