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1. (WO2009085965) ELIMINATION DES DOPANTS SUPERFICIELS D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085965    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/087446
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 18.12.2008
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
RAMASWAMY, Kartik [IN/US]; (US) (US Seulement).
COLLINS, Kenneth S. [US/US]; (US) (US Seulement).
GALLO, Biagio [IT/US]; (US) (US Seulement).
HANAWA, Hiroji [JP/US]; (US) (US Seulement).
FOAD, Majeed A. [GB/US]; (US) (US Seulement).
HILKENE, Martin A. [GB/US]; (US) (US Seulement).
SANTHANAM, Kartik [IN/US]; (US) (US Seulement).
SCOTNEY-CASTLE, Matthew D. [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RAMASWAMY, Kartik; (US).
COLLINS, Kenneth S.; (US).
GALLO, Biagio; (US).
HANAWA, Hiroji; (US).
FOAD, Majeed A.; (US).
HILKENE, Martin A.; (US).
SANTHANAM, Kartik; (US).
SCOTNEY-CASTLE, Matthew D.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
11/963,034 21.12.2007 US
Titre (EN) REMOVAL OF SURFACE DOPANTS FROM A SUBSTRATE
(FR) ELIMINATION DES DOPANTS SUPERFICIELS D'UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for removing excess dopant from a doped substrate is provided. In one embodiment, a substrate is doped by surfaced deposition of dopant followed by formation of a capping layer and thermal diffusion drive-in. A reactive etchant mixture is provided to the process chamber, with optional plasma, to etch away the capping layer and form volatile compounds by reacting with excess dopant. In another embodiment, a substrate is doped by energetic implantation of dopant. A reactive gas mixture is provided to the process chamber, with optional plasma, to remove excess dopant adsorbed on the surface and high-concentration dopant near the surface by reacting with the dopant to form volatile compounds. The reactive gas mixture may be provided during thermal treatment, or it may be provided before or after at temperatures different from the thermal treatment temperature. The volatile compounds are removed. Substrates so treated do not form toxic compounds when stored or transported outside process equipment.
(FR)Cette invention concerne un procédé et un appareil pour éliminer le dopant en excédent d'un substrat dopé. Dans un mode de réalisation, un substrat est dopé par dépôt en surface d'un dopant, puis formation d'une couche de capotage et induction d'une diffusion thermique. Un mélange décapant réactif est introduit dans la chambre de procédé, avec un éventuel plasma, pour éliminer par décapage la couche de capotage et former des composés volatils par réaction avec le dopant en excédent. Dans un autre mode de réalisation, un substrat est dopé par implantation énergétique d'un dopant. Un mélange gazeux réactif est injecté dans la chambre de procédé, avec un éventuel plasma, pour éliminer le dopant en excédent adsorbé sur la surface et la forte concentration de dopant près de la surface par réaction avec le dopant pour former des composés volatils. Le mélange gazeux réactif peut être injecté pendant le traitement thermique, ou il peut être injecté avant ou après à des températures différentes de la température de traitement thermique. Les composés volatils sont chassés. Les substrats ainsi traités ne forment pas de composés toxiques quand ils sont stockés ou transportés hors de l'équipement de procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)