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1. (WO2009085948) MODIFICATION DE MATÉRIAU DANS LE CADRE DE LA FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE AVEC DOPAGE IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085948    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/087417
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 18.12.2008
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
YANG, Michael, X [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YANG, Michael, X; (US)
Mandataire : FABER, Scott, R.; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
11/961,126 20.12.2007 US
Titre (EN) MATERIAL MODIFICATION IN SOLAR CELL FABRICATION WITH ION DOPING
(FR) MODIFICATION DE MATÉRIAU DANS LE CADRE DE LA FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE AVEC DOPAGE IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An approach for material modification in solar cell fabrication with ion doping is described. In one embodiment, there is a method of forming a thin-film solar cell. In this embodiment, a substrate is provided and a thin-film layer is deposited on the substrate. The thin-film solar cell layer is exposed to an ion flux to passivate a defect.
(FR)La présente invention a trait à une approche pour la modification de matériau dans le cadre de la fabrication de cellule solaire avec dopage ionique. Un mode de réalisation consiste en un procédé permettant de former une cellule solaire en couche mince. Selon ce mode de réalisation, un substrat est fourni et une couche mince est déposée sur le substrat. La couche de cellule solaire en couche mince est exposée à un flux ionique afin de passiver un défaut.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)