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1. (WO2009085939) PERFORMANCE D'IMPLANTATION À FORT ANGLE D'INCLINAISON AMÉLIORÉE UTILISANT UNE INCLINAISON DANS L'AXE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085939    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/087406
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 18.12.2008
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01J 37/30 (2006.01), H01J 37/36 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
GUPTA, Atul [IN/US]; (US) (US Seulement).
OLSON, Joseph, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GUPTA, Atul; (US).
OLSON, Joseph, C.; (US)
Mandataire : FABER, Scott, R.; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
12/005,991 28.12.2007 US
Titre (EN) IMPROVED HIGH TILT IMPLANT ANGLE PERFORMANCE USING IN-AXIS TILT
(FR) PERFORMANCE D'IMPLANTATION À FORT ANGLE D'INCLINAISON AMÉLIORÉE UTILISANT UNE INCLINAISON DANS L'AXE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention comprises a method for high tilt angle implantation, with angular precision not previously achievable. An ion beam, having a width and height dimension, is made up of a number of individual beamlets. These beamlets typically display a higher degree of parallelism in one of these two dimensions. Thus, to minimize angular error, the workpiece is tilted about an axis substantially perpendicular to the dimension having the higher degree of parallelism. The workpiece is then implanted at a high tilt angle and rotated about a line orthogonal to the surface of the workpiece. This process can be repeated until the high tilt implantation has been performed in all required regions.
(FR)La présente invention concerne un procédé destiné à une implantation à fort angle d'inclinaison, avec une précision angulaire impossible à obtenir jusqu'ici. Un faisceau ionique, ayant une largeur et une hauteur, est composé d'un certain nombre de petits faisceaux individuels. Ces petits faisceaux présentent d'ordinaire un degré de parallélisme plus élevé dans l'une de ces deux dimensions. Ainsi, pour minimiser l'erreur angulaire, la pièce de fabrication est inclinée sur un axe sensiblement perpendiculaire à la dimension présentant le degré de parallélisme le plus élevé. La pièce de fabrication est ensuite implantée selon un angle d'inclinaison important et entraînée en rotation autour d'une ligne perpendiculaire à la surface de la pièce de fabrication. Ce processus peut être répété jusqu'à ce que l'implantation à forte inclinaison ait été réalisée dans toutes les régions requises.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)