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1. (WO2009085772) DÉPÔT DE NANOMATÉRIAU AU LASER, NANOTECHNOLOGIE MOLÉCULAIRE, SURVEILLANCE IN SITU ET APPAREIL ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085772    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/087027
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 16.12.2008
CIB :
B82B 3/00 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, California 94607-5200 (US) (Tous Sauf US).
MAO, Samuel, S. [CN/US]; (US) (US Seulement).
GRIGOROPOULOS, Costas, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
HWANG, David [US/US]; (US) (US Seulement).
MINOR, Andrew, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAO, Samuel, S.; (US).
GRIGOROPOULOS, Costas, P.; (US).
HWANG, David; (US).
MINOR, Andrew, M.; (US)
Mandataire : AUSTIN, James, E.; Weaver Austin Villeneuve & Sampson LLP, P.O. Box 70250, Oakland, California 94612-0250 (US)
Données relatives à la priorité :
61/015,456 20.12.2007 US
Titre (EN) LASER-ASSISTED NANOMATERIAL DEPOSITION, NANOMANUFACTURING, IN SITU MONITORING AND ASSOCIATED APPARATUS
(FR) DÉPÔT DE NANOMATÉRIAU AU LASER, NANOTECHNOLOGIE MOLÉCULAIRE, SURVEILLANCE IN SITU ET APPAREIL ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)Laser-assisted apparatus and methods for performing nanoscale material processing, including nanodeposition of materials, can be controlled very precisely to yield both simple and complex structures with sizes less than 100 nm. Optical or thermal energy in the near field of a photon (laser) pulse is used to fabricate submicron and nanometer structures on a substrate. A wide variety of laser material processing techniques can be adapted for use including, subtractive (e.g., ablation, machining or chemical etching), additive (e.g., chemical vapor deposition, selective self-assembly), and modification (e.g., phase transformation, doping) processes. Additionally, the apparatus can be integrated into imaging instruments, such as SEM and TEM, to allow for real-time imaging of the material processing.
(FR)La présente invention à trait à un appareil et à des procédés au laser permettant de procéder à un traitement de matériaux à l'échelle nanométrique, incluant un nanodépôt de matériau, qui peut être contrôlé avec une extrême précision de manière à produire à la fois des structures simples et complexes présentant des tailles inférieures à 100 nm. L'énergie optique ou thermique dans le champ à proximité d'une impulsion de photons (laser) est utilisée pour fabriquer des structures à l'échelle submicrométrique et nanométrique sur un substrat. Une large variété de techniques de traitement de matériaux pour laser peut être adaptée à cette utilisation y compris des procédés soustractifs (par exemple, l'ablation, l'usinage ou le décapage chimique), additifs (par exemple, le dépôt chimique en phase vapeur, l'autoassemblage sélectif) et de modification (par exemple, la soudure, le dopage). De plus, l'appareil peut être intégré dans des systèmes imageurs, tels qu'un microscope électronique à balayage et un microscope électronique en transmission, afin de permettre le traitement de l'image en temps réel du traitement de matériaux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)