WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009085703) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE COMPOSANTS DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSANTS AINSI FORMÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085703    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/086862
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 15.12.2008
CIB :
H01L 21/673 (2006.01)
Déposants : SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC. [US/US]; One New Bond Street, Worcester, Massachusetts 01615-0138 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : NARENDAR, Yeshwanth; (US).
BUCKLEY, Richard, F.; (US)
Mandataire : LARSON NEWMAN ABEL & POLANSKY, LLP; 5914 West Courtyard Drive, Suite 200, Austin, TX 78730 (US)
Données relatives à la priorité :
61/015,612 20.12.2007 US
Titre (EN) METHOD FOR TREATING SEMICONDUCTOR PROCESSING COMPONENTS AND COMPONENTS FORMED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE COMPOSANTS DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSANTS AINSI FORMÉS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor processing component has an outer surface portion comprised of silicon carbide, the outer surface portion having a skin impurity level and a bulk impurity level. The skin impurity level is average impurity level from 0 nm to 100 nm of depth into the outer surface portion, the bulk impurity level is measured at a depth of at least 3 microns into the outer surface portion, and the skin impurity level is not greater than 80% of the bulk impurity level
(FR)La présente invention concerne un composant de traitement de semi-conducteurs qui a une surface extérieure en carbure de silicium, la surface extérieure présentant un niveau d'impureté superficielle et un niveau d'impureté dans la masse. Le niveau d'impureté superficielle est le niveau d'impureté moyen de 0 nm à 100 nm de profondeur dans la surface extérieure, le niveau d'impureté dans la masse étant mesuré à une profondeur d'au moins 3 micromètres dans la surface extérieure, et le niveau d'impureté superficielle n'étant pas supérieur à 80 % du niveau d'impureté dans la masse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)