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1. (WO2009085694) COUCHE PROTECTRICE POUR RÉSINE PHOTOSENSIBLE IMPLANTÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085694    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/086825
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 15.12.2008
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
ROMANO, Andrew, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
SADJADI, S., M., Reza [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ROMANO, Andrew, R.; (US).
SADJADI, S., M., Reza; (US)
Mandataire : LEE, Michael, B., K.; Beyer Law Group LLP, P.O. Box 1687, Cupertino, CA 95015-1687 (US)
Données relatives à la priorité :
61/016,368 21.12.2007 US
Titre (EN) PROTECTIVE LAYER FOR IMPLANT PHOTORESIST
(FR) COUCHE PROTECTRICE POUR RÉSINE PHOTOSENSIBLE IMPLANTÉE
Abrégé : front page image
(EN)A method for implanting a dopant in a substrate is provided. A patterned photoresist mask is formed over the substrate, wherein the patterned photoresist mask has patterned photoresist mask features. A protective layer is deposited on the patterned photoresist mask by performing a cyclical deposition, wherein each cycle, comprises a depositing phase for depositing a deposition layer over surfaces of the patterned mask of photoresist material and a profile shaping phase for providing vertical sidewalls. A dopant is implanted into the substrate using an ion beam. The protective layer and photoresist mask are removed.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant d'implanter un dopant dans un substrat. Un masque de résine photosensible à motif est formé sur le substrat, le masque de résine photosensible à motif ayant des caractéristiques de masque de résine photosensible à motif. Une couche protectrice est déposée sur le masque de résine photosensible à motif en effectuant un dépôt par cycles, chaque cycle comprenant une phase de dépôt pour déposer une couche de dépôt sur les surfaces du masque à motif de résine photosensible et une phase de façonnage de profil pour donner des parois verticales. Un dopant est implanté dans le substrat à l'aide d'un faisceau d'ions. La couche protectrice et le masque de résine photosensible sont retirés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)