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1. (WO2009085675) CIRCUIT DE COMMANDE DE COMMUTATION À DÉCALAGE DE NIVEAU SUR PHEMT GAAS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085675    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/086741
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 14.12.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.07.2009    
CIB :
H03F 3/14 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East Los Angeles, California 90067-2199 (US) (Tous Sauf US).
SUKO, Scott [US/US]; (US) (US Seulement).
PASSERELLI, Andrew [US/US]; (US) (US Seulement).
NACHTREIB, Gregory [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SUKO, Scott; (US).
PASSERELLI, Andrew; (US).
NACHTREIB, Gregory; (US)
Mandataire : MARSTELLER, Thomas; Marsteller & Associates, P.C. PO Box 803302 Dallas, Texas 75380-3302 (US)
Données relatives à la priorité :
11/964,886 27.12.2007 US
Titre (EN) LEVEL SHIFTING SWITCH DRIVER ON GAAS PHEMPT
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE DE COMMUTATION À DÉCALAGE DE NIVEAU SUR PHEMT GAAS
Abrégé : front page image
(EN)A radio frequency semiconductor switching device is formed on an MMIC structure including a switching circuit element having four semiconductor switching units with each adapted for receiving a gate control signal A level shift circuit generates a biasing voltage signal communicated of the switching units for biasing the switching units, and provides an output that swings between approximately one diode drop above ground and a negative voltage to bias the switching circuit elements for reduced loss The level shift circuit is responsive to an externally provided control signal The switching units are formed into a grouping of at least a first and a second set of interconnected semiconductor switching units with each set having gates of at least two of the interconnected switching units connected with the level shift circuit output Both the switching units and the level shift circuit are formed on the MMIC structure
(FR)Dispositif de commutation radiofréquence à semiconducteur, formé sur une structure MMIC comportant un élément de circuit de commutation possédant quatre unités de commutation à semiconducteur, chacun étant conçue pour recevoir un signal de commande de grille. Un circuit de décalage de niveau fournit un signal de tension de polarisation qui est transmis aux unités de commutation dans le but de les polariser, et fournit un signal de sortie qui bascule approximativement entre une chute de tension de diode par rapport à la masse et une tension négative afin de polariser les éléments de circuit de commutation et réduire ainsi les pertes. Le circuit de décalage de niveau est sensible à un signal de commande issu d'une source extérieure. Les unités de commutation sont rassemblées en au moins un premier groupe et un deuxième groupe d'unités de commutation à semiconducteur interconnectés, les grilles d'au moins deux des unités de commutation interconnectées de chaque groupe étant connectées à la sortie du circuit de décalage de niveau. Tant les unités de commutation que le circuit de décalage de niveau sont formés sur la structure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)