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1. (WO2009085672) FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE SILICIUM ET GRAVURE DE SILICIUM PROFONDE AVEC RÉGULATION DU PROFIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085672    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/086722
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 12.12.2008
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538 (US) (Tous Sauf US).
CHEBI, Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
LIN, Frank [US/US]; (US) (US Seulement).
WINNICZEK, Jaroslaw [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Wan-lin [--/US]; (US) (US Seulement).
MCDONNELL, Erin [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHENG, Lily [US/US]; (US) (US Seulement).
LASSIG, Stephan [US/US]; (US) (US Seulement).
BOGART, Jeff [US/US]; (US) (US Seulement).
RUSU, Camelia [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHEBI, Robert; (US).
LIN, Frank; (US).
WINNICZEK, Jaroslaw; (US).
CHEN, Wan-lin; (US).
MCDONNELL, Erin; (US).
ZHENG, Lily; (US).
LASSIG, Stephan; (US).
BOGART, Jeff; (US).
RUSU, Camelia; (US)
Mandataire : ANDO, Masako; Beyer Law Group LLP P.O. Box 1687 Cupertino, California 95015-1687 (US)
Données relatives à la priorité :
61/016,369 21.12.2007 US
61/027,776 11.02.2008 US
Titre (EN) FABRICATION OF A SILICON STRUCTURE AND DEEP SILICON ETCH WITH PROFILE CONTROL
(FR) FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE SILICIUM ET GRAVURE DE SILICIUM PROFONDE AVEC RÉGULATION DU PROFIL
Abrégé : front page image
(EN)A method of etching features into a silicon layer with a steady-state gas flow is provided. An etch gas comprising an oxygen containing gas and a fluorine containing gas is provided. A plasma is provided from the etch gas. Then, the flow of the etch gas is stopped.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure d'éléments dans une couche de silicium avec un débit de gaz à l'équilibre. L'invention concerne également un gaz de gravure qui comprend un gaz contenant de l'oxygène et un gaz contenant du fluor. Un plasma est obtenu à partir du gaz de gravure. Le débit du gaz de gravure est ensuite arrêté.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)