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1. (WO2009085623) CIRCUITS LOGIQUES DYNAMIQUES ORGANIQUES IMPRIMÉS UTILISANT UN TRANSISTOR À GRILLE FLOTTANTE COMME DISPOSITIF DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085623    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/086332
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 11.12.2008
CIB :
H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : ORGANICID, INC. [US/US]; 422 E Vermijo, Ste 409 Colorado Springs, CO (US) (Tous Sauf US).
OLARIU, Viorel [RO/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : OLARIU, Viorel; (US)
Mandataire : LEUZZI, Paul, W.; Weyerhaeuser Company PO Box 9777, CH1J27 Federal Way, WA 98063-9777 (US)
Données relatives à la priorité :
11/964,549 26.12.2007 US
Titre (EN) PRINTED ORGANIC DYNAMIC LOGIC CIRCUITS USING A FLOATING GATE TRANSISTOR AS A LOAD DEVICE
(FR) CIRCUITS LOGIQUES DYNAMIQUES ORGANIQUES IMPRIMÉS UTILISANT UN TRANSISTOR À GRILLE FLOTTANTE COMME DISPOSITIF DE CHARGE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming an organic inverter includes providing a first metal layer having a first portion for coupling a source of a first OFET to a first power supply voltage, a second portion for coupling a drain of the first OFET to an output terminal and to a source of a second OFET, and a third portion for coupling a drain of the second OFET to a second power supply voltage, providing a semiconductor layer for overlapping a portion of the first and second first metal layer portions to form a first OFET active area, and for overlapping a portion of the second and third metal layer portions to form a second OFET active area, providing a dielectric layer for overlapping the active area and isolates the first metal layer and semiconductor layer from the second metal layer, and providing a second metal layer for overlapping the active area of the first OFET to form a gate of the first OFET and an input terminal, and for overlapping the active area of the second OFET to form a floating gate for the second OFET.
(FR)Un procédé de formation d'un inverseur organique consiste à fournir une première couche métallique dotée d'une première partie pour coupler une source d'un premier OFET à une première tension d'alimentation électrique, d'une deuxième partie pour coupler un drain du premier OFET à une borne de sortie et à une source d'un deuxième OFET, et d'une troisième partie pour coupler un drain du deuxième OFET à une deuxième tension d'alimentation électrique, à fournir une couche semi-conductrice pour recouvrir une partie des première et deuxième parties de couche métallique afin de former une première zone active d'OFET, et pour recouvrir une partie des deuxième et troisième parties de couche métallique pour former une deuxième zone active d'OFET, à fournir une couche diélectrique pour recouvrir la zone active et isoler la première couche métallique et la couche semi-conductrice de la deuxième couche métallique, et à fournir une deuxième couche métallique pour recouvrir la zone active du premier OFET afin de former une grille du premier OFET et une borne d'entrée, et pour recouvrir la zone active du deuxième OFET pour former une grille flottante pour le deuxième OFET.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)