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1. (WO2009085599) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085599    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/086096
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 09.12.2008
CIB :
H01L 51/10 (2006.01)
Déposants : ORGANICID, INC. [US/US]; 422 E Vermijo, Ste 409 Colorado Springs, CO (US) (Tous Sauf US).
MOHAPATRA, Siddharth [IN/US]; (US) (US Seulement).
WENZ, Robert, P. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOHAPATRA, Siddharth; (US).
WENZ, Robert, P.; (US)
Mandataire : LEUZZI, Paul, W.; Weyerhaeuser Company PO Box 9777, CH1J27 Federal Way, WA 98063-9777 (US)
Données relatives à la priorité :
11/964,577 26.12.2007 US
Titre (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A low-cost and efficient process producing improved organic electronic devices such as transistors that may be used, in a variety of applications is described. The applications may include radio frequency identification (RFID) devices, displays and the like. In one embodiment, the improved process is implemented by flash annealing a substrate with an energy having wavelengths ranging from about 250 nm to about 1100 um or higher. In this flash annealing process energy having wavelengths from about 250 nm to about 350 nm or higher is substantially prevented from irradiating the substrate.
(FR)La présente invention a trait à un processus à faible coût et efficace permettant de produire des dispositifs électroniques organiques améliorés tels que des transistors qui peuvent être utilisés dans une variété d'applications. Les applications peuvent inclure les dispositifs d'identification par radiofréquence, les écrans et similaire. Selon un mode de réalisation, le processus amélioré est implémenté en effectuant un recuit éclair sur un substrat avec une énergie dont les longueurs d'onde sont comprises entre environ 250 nm et environ 1 100 nm ou plus. Lors de ce processus de recuit éclair, il est fait en sorte que l'énergie dont les longueurs d'onde vont d'environ 250 nm à environ 350 nm ou plus n'expose sensiblement pas le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)