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1. (WO2009085598) DOUBLE MOTIF DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085598    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/086095
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 09.12.2008
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
SADJADI, S.M. Reza [US/US]; (US) (US Seulement).
ROMANO, Andrew, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SADJADI, S.M. Reza; (US).
ROMANO, Andrew, R.; (US)
Mandataire : ANDO, Masako; Beyer Law Group LLP, P.O. Box 1687, Cupertino, CA 95015-1687 (US)
Données relatives à la priorité :
61/016,404 21.12.2007 US
Titre (EN) PHOTORESIST DOUBLE PATTERNING
(FR) DOUBLE MOTIF DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching an etch layer formed on a substrate is provided. A first photoresist (PR) mask with first mask features is provided on the etch layer. A protective coating is provided on the first PR mask by a process including at least one cycle. Each cycle includes (a) a deposition phase for depositing a deposition layer over the surface of the first mask features using a deposition gas, and (b) a profile shaping phase for shaping the profile of the deposition layer using a profile shaping gas. A liquid PR material is applied over the first PR mask having the protective coating. The PR material is patterned into a second mask features, where the first and second mask features form a second PR mask. The etch layer is etched though the second PR mask.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure d'une couche de gravure formée sur un substrat. Un premier masque de résine photosensible (RP) avec des premières caractéristiques de masque se trouve sur la couche de gravure. Une couche protectrice est appliquée sur le premier masque de RP par un procédé comprenant au moins un cycle. Chaque cycle comprend (a) une phase de dépôt permettant de déposer une couche de dépôt sur la surface du masque ayant les premières caractéristiques à l'aide d'un gaz de dépôt, et (b) une phase de façonnage de profil pour façonner le profil de la couche de dépôt à l'aide d'un gaz de façonnage de profil. Une résine liquide photosensible est appliquée sur le premier masque de résine photosensible ayant la couche protectrice. La résine photosensible est modelée en un masque ayant des secondes caractéristiques, le masque aux premières caractéristiques et le masque aux secondes caractéristiques formant un second masque de RP. La couche de gravure est gravée à travers le second masque de RP.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)