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1. (WO2009085438) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR EMPÊCHER LA DÉGRADATION D'UN CIRCUIT DE COMMUTATION À SEMI-CONDUCTEURS LORS D'UNE DÉFAILLANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085438    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/083954
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 19.11.2008
CIB :
H02H 7/122 (2006.01), H03K 17/081 (2006.01), H01H 9/54 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road, Schenectady, NY 12345 (US) (Tous Sauf US).
ROESNER, Robert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SUBRAMANIAN, Kanakasabapathi [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ROESNER, Robert; (DE).
SUBRAMANIAN, Kanakasabapathi; (US)
Mandataire : PHILLIPS, Roger, C.; General Electronic Company, Global Patent Operation, P.O. Box 06484, 2 Corporate Drive, Suite 648, Shelton, CT 06484 (US)
Données relatives à la priorité :
11/962,830 21.12.2007 US
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR PREVENTING DAMAGE TO A SEMICONDUCTOR SWITCH CIRCUIT DURING A FAILURE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR EMPÊCHER LA DÉGRADATION D'UN CIRCUIT DE COMMUTATION À SEMI-CONDUCTEURS LORS D'UNE DÉFAILLANCE
Abrégé : front page image
(EN)A device includes at least one semiconductor switching circuit connected to a power source and a load and at least one breaker switch integrated with the at least one semiconductor switching circuit. The breaker circuit may be connected in series with the at least one semiconductor switching circuit and the at least one breaker switch is configured to create an open circuit in less than about twenty microseconds of receipt of a predetermined threshold of semiconductor switch current to thereby prevent damage to the at least one semiconductor switching circuit or housing. A method of preventing damage to a semiconductor switching circuit or device is also presented.
(FR)Un dispositif comprend au moins un circuit de commutation à semi-conducteurs raccordé à une source de courant et à une charge, et au moins un commutateur de disjoncteur formé d'un seul tenant avec le ou les circuits de commutation à semi-conducteurs. Le circuit de disjoncteur peut être raccordé en série aux circuits de commutation à semi-conducteurs et le ou les commutateurs de disjoncteur sont conçus pour créer un circuit ouvert en moins de vingt microsecondes environ à réception d'un seuil prédéterminé de courant de commutateur à semi-conducteurs de façon à prévenir ainsi toute dégradation du ou des boîtiers ou circuits de commutation à semi-conducteurs. La présente invention concerne également un procédé pour empêcher la dégradation d'un dispositif ou d'un circuit de commutation à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)