WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009085409) BOÎTIER DE CIRCUIT INTÉGRÉ À CAVITÉ IN-SITU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085409    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/082975
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 10.11.2008
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : SKYWORKS SOLUTIONS, INC. [US/US]; 20 Sylvan Road, Woburn, MA 01801 (US) (Tous Sauf US).
LIANG, Steve, X. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIANG, Steve, X.; (US)
Mandataire : GATES, Sarah, M.; Lowrie, Lando & Anastasi, Llp., One Main Street, Eleventh Floor, Cambridge, MA 02142 (US)
Données relatives à la priorité :
11/964,092 26.12.2007 US
Titre (EN) IN-SITU CAVITY INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE
(FR) BOÎTIER DE CIRCUIT INTÉGRÉ À CAVITÉ IN-SITU
Abrégé : front page image
(EN)A flip chip semiconductor packaging device and method that incorporates in situ formation of cavities underneath selected portions of a die during a flip chip die bonding process. A method of flip chip semiconductor component packaging includes providing a die having a first surface, forming a barrier on first surface of the die, the barrier at least partially surrounding a designated location on the first surface of the die, bonding the die to a substrate in a flip chip configuration, and flowing molding compound over the die and over at least a portion of the substrate. Bonding the die to the substrate includes causing contact between the barrier and the substrate such that flow of the molding compound is blocked by the barrier to provide a cavity between the die and the substrate, the cavity being proximate the designated location on the first surface of the die.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de conditionnement semi-conducteur à puce retournée et sur un procédé qui incorpore une formation in-situ de cavités sous des parties sélectionnées d'un dé pendant un traitement de liaison de dé à puce retournée. Un procédé de conditionnement de composant semi-conducteur à puce retournée comprend la disposition d'un dé ayant une première surface, la formation d'une barrière sur une première surface du dé, la barrière entourant au moins partiellement un emplacement désigné sur la première surface du dé, la liaison du dé sur un substrat dans une configuration à puce retournée et l'écoulement du composé de moulage sur le dé et sur au moins une partie du substrat. La liaison du dé au substrat comprend le fait de provoquer un contact entre la barrière et le substrat, de telle sorte que l'écoulement du composé de moulage est bloqué par la barrière pour fournir une cavité entre le dé et le substrat, la cavité étant proche de l'emplacement désigné sur la première surface du dé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)