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1. (WO2009085087) SYSTÈME DE PROCESSEUR MULTICŒUR (CMP) ET PROCÉDÉ UTILISANT DES ZONES DE TEMPÉRATURE CONTRÔLÉES INDIVIDUELLEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/085087    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/013307
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 03.12.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.10.2009    
CIB :
H01L 21/321 (2006.01), B24B 49/14 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place Mail Stop 68 P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
HEINRICH, Jens [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MARXSEN, Gerd [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HEINRICH, Jens; (DE).
MARXSEN, Gerd; (DE)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc. 7171 Southwest Parkway Mail Stop B100.3.341 Austin, TX 78735 (US).
PFAU, Anton K.; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Leopoldstraße 4 80802 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 063 232.2 31.12.2007 DE
12/132,850 04.06.2008 US
Titre (EN) A CMP SYSTEM AND METHOD USING INDIVIDUALLY CONTROLLED TEMPERATURE ZONES
(FR) SYSTÈME DE PROCESSEUR MULTICŒUR (CMP) ET PROCÉDÉ UTILISANT DES ZONES DE TEMPÉRATURE CONTRÔLÉES INDIVIDUELLEMENT
Abrégé : front page image
(EN)By creating a temperature profile (310) across a polishing pad (202), a respective temperature profile (320) may be obtained in a substrate (250) to be polished, which may result in a respective varying removal rate across the substrate (250) for a chemically reactive slurry material (207) or for an electro-chemically activated polishing process. Hence, highly sensitive materials, such as material comprising low-k dielectrics, may be efficiently polished with a high degree of controllability.
(FR)En créant un profil de températures (310) sur un tampon de polissage (202), un profil de températures respectif (320) peut être obtenu dans un substrat (250) devant être poli, ce qui peut entraîner l'obtention d'un taux d'élimination respectif variable sur le substrat (250), pour une pâte chimiquement réactive (207) ou pour un processus de polissage activé de façon électrochimique. Par conséquent, des matières à haute sensibilité, telles qu'une matière contenant des diélectriques à faible K, peuvent être polies de façon efficace avec un haut degré de contrôlabilité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)