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1. (WO2009084871) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MICROCAPTEUR DE GAZ ET MICROCAPTEUR DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084871    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/007701
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 26.12.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.07.2009    
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
Déposants : KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE [KR/KR]; #68 Yatap-dong, Bundang-gu Seongnam GyeonggiProvince 463-816 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Kwang Bum [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Seong Dong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Joon Shik [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Min Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Kwang Bum; (KR).
KIM, Seong Dong; (KR).
PARK, Joon Shik; (KR).
LEE, Min Ho; (KR)
Mandataire : YOON, Suk Woon; Young Bldg. 2F-205, Seocho-Gu Seocho 1-Dong 1624-1, Seoul 137-878 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0141055 28.12.2007 KR
Titre (EN) FABRICATING METHOD FOR MICRO GAS SENSOR AND THE SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MICROCAPTEUR DE GAZ ET MICROCAPTEUR DE GAZ
Abrégé : front page image
(EN)There are provided a micro gas sensor and a method for fabricating the same that comprises a micro heater formed inside a polysilicon membrane by doping impurities into a specific region of the polysilicon membrane positioned under a gas sensing substance, thereby improving thermal structural stability and making it easy to form the gas sensing substance. The micro gas sensor comprises: a micro heater formed by doping impurities into polysilicon vapor-deposited on a substrate on which a first insulating layer is formed; a polysilicon membrane for decreasing a heat loss of the micro heater; a power electrode for supplying power and a temperature measurement electrode for measuring a temperature, positioned at both ends of the micro heater; a second insulating layer formed on the micro heater; a sensing substance formed on the second insulating layer, for sensing a gas; and a sensing electrode for measuring a change in properties of the sensing substance. The method for fabricating a micro gas sensor comprises steps of: forming polysilicon on a substrate on which a first insulating layer is formed; forming a micro heater by doping impurities into the polysilicon; forming electrodes at both ends of the micro heater; forming a second insulating layer on the micro heater; forming a sensing substance on the second insulating layer; and forming a sensing electrode on the sensing substance.
(FR)L'invention porte sur un microcapteur de gaz et sur son procédé de fabrication. Le microcapteur comprend un microréchauffeur formé à l'intérieur d'une membrane de polysilicium par le dopage d'impuretés dans une région spécifique de la membrane de polysilicium positionnée sous une substance de détection de gaz, ce qui améliore la stabilité structurelle thermique et facilite la formation de la substance de détection de gaz. Le microcapteur de gaz comporte un microréchauffeur formé par dopage d'impuretés dans du polysilicium déposé en phase vapeur sur un substrat sur lequel est formée une première couche isolante ; une membrane de polysilicium pour diminuer la perte de chaleur du microréchauffeur ; une électrode de puissance pour l'alimentation en puissance et une électrode de mesure de température pour mesurer une température, disposées sur les deux extrémités du microréchauffeur ; une seconde couche isolante formée sur le microréchauffeur ; une substance de détection formée sur la seconde couche isolante pour détecter un gaz ; et une électrode de détection pour mesurer un changement de propriétés de la substance de détection. Le procédé de fabrication d'un microcapteur de gaz consiste à former du polysilicium sur un substrat sur lequel est formée une première couche isolante ; à former un microréchauffeur par dopage d'impuretés dans le polysilicium ; à former des électrodes sur les deux extrémités du microréchauffeur ; à former une seconde couche isolante sur le microréchauffeur ; à former une substance de détection sur la seconde couche isolante ; et à former une électrode de détection sur la substance de détection.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)