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1. (WO2009084823) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084823    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/007291
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 10.12.2008
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : SOSUL CO., LTD. [KR/KR]; 57, Wonam-Ri, Namsa-Myeon, Cheoin-Gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 449-881 (KR) (Tous Sauf US).
HAN, Young Ki [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SEO, Young Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : HAN, Young Ki; (KR).
SEO, Young Soo; (KR)
Mandataire : NAM, Seung-Hee; 12F, Seo-Jeon Bldg., 1330-9 Seocho-Dong, Seocho-Gu, Seoul 137-858 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0141363 31.12.2007 KR
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)There are provided an apparatus and method for processing a substrate. By using the apparatus and method, plasma processing can be individually performed on each of edge and rear regions of a substrate in a single chamber. The apparatus includes a chamber providing a reaction space; a stage installed in the chamber; a plasma shielding unit installed opposite to the stage in the chamber; a support unit for supporting a substrate between the stage and the plasma shielding unit; a first supply pipe provided at the stage to supply a reaction or non-reaction gas to one surface of the substrate; and second and third supply pipes provided at the plasma shielding unit, the second supply pipe supplying a reaction gas to the other surface of the substrate, the third supply pipe supplying a non-reaction gas to the other surface.
(FR)L'invention porte sur un appareil et un procédé de traitement d'un substrat. En utilisant l'appareil et le procédé, un traitement par plasma peut être individuellement effectué sur chacune des régions de bord et arrière d'un substrat dans une seule chambre. L'appareil comprend une chambre formant un espace de réaction ; un étage installé dans la chambre ; une unité de blindage de plasma installée en regard de l'étage dans la chambre ; une unité de support pour porter un substrat entre l'étage et l'unité de blindage de plasma ; un premier tuyau d'alimentation installé au niveau de l'étage pour amener un gaz réactif ou non réactif vers une surface du substrat ; et des second et troisième tuyaux d'alimentation installés au niveau de l'unité de blindage de plasma, le second tuyau d'alimentation amenant un gaz réactif vers l'autre surface du substrat, le troisième tuyau d'alimentation amenant un gaz non réactif vers l'autre surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)