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1. (WO2009084797) DISPOSITIF À MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION DE MÉMOIRE FLASH ÉGALISANT UN NIVEAU D'USURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084797    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/004965
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 25.08.2008
CIB :
G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : INDILINX CO., LTD. [KR/KR]; 607 C-dong Bundang Techno Park, 145 Yatap-dong, Bundang-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do 463-760 (KR) (Tous Sauf US).
KIM, Bumsoo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHUNG, Hyunmo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Hanmook [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Bumsoo; (KR).
CHUNG, Hyunmo; (KR).
PARK, Hanmook; (KR)
Mandataire : MUHANN PATENT & LAW FIRM; 2, 5, 6th Floor, Myeonglim Building, 51-8 Nonhyeon-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-814 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0139108 27.12.2007 KR
Titre (EN) FLASH MEMORY DEVICE AND FLASH MEMORY PROGRAMMING METHOD EQUALIZING WEAR-LEVEL
(FR) DISPOSITIF À MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION DE MÉMOIRE FLASH ÉGALISANT UN NIVEAU D'USURE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a flash memory device and flash memory programming method that equalizes a wear-level. The flash memory device includes a memory cell array, an inversion determining unit to generate a programming page through inverting or not inverting a data page based on a number of '1's and 'O's in the data page, a programming unit to store the generated programming page in the memory cell array; and a data verifying unit to read the programming page stored in the memory cell array, to restore the data page from the programming page according to whether an error exists in the read programming page, and to output the restored data page, and thereby can equalize a wear-level of a memory cell.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à mémoire flash et sur un procédé de programmation de mémoire flash qui égalise le niveau d'usure. Le dispositif à mémoire flash comprend un réseau de cellules de mémoire; une unité de détermination d'inversion pour générer une page de programmation par l'inversion ou la non-inversion d'une page de données selon le nombre de '1's et 'O's présents sur la page de données; une unité de programmation pour stocker dans le réseau de cellules de mémoire la page de programmation générée; et une unité de vérification de données pour lire la page de programmation stockée dans le réseau de cellules de mémoire, pour restaurer la page de données à partir de la page de programmation si une erreur existe dans la page de programmation de lecture; et pour produire la page de données restaurée, égalisant ainsi le niveau d'usure d'une cellule de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)