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1. (WO2009084796) DISPOSITIF À MÉMOIRE FLASH SERVANT À AJUSTER UN SIGNAL DE VALIDATION DE LECTURE, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE LECTURE DU DISPOSITIF À MÉMOIRE FLASH
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084796    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/004964
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 25.08.2008
CIB :
G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : INDILINX CO., LTD. [KR/KR]; 607 C-dong Bundang Techno Park, 145 Yatap-dong, Bundang-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do 463-760 (KR) (Tous Sauf US).
CHUNG, Hyunmo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Hanmook [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHUNG, Hyunmo; (KR).
PARK, Hanmook; (KR)
Mandataire : MUHANN PATENT & LAW FIRM; 2, 5, 6th Floor, Myeonglim Building, 51-8 Nonhyeon-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-814 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0139106 27.12.2007 KR
Titre (EN) READ ENABLE SIGNAL ADJUSTING FLASH MEMORY DEVICE AND READ CONTROL METHOD OF FLASH MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À MÉMOIRE FLASH SERVANT À AJUSTER UN SIGNAL DE VALIDATION DE LECTURE, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE LECTURE DU DISPOSITIF À MÉMOIRE FLASH
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a flash memory device for adjusting a read signal timing and read control method of the flash memory device. The flash memory device include a plurality of flash memory units, a common input/output bus connected with each of the plurality of flash memory units, and a controller to propagate the read control signal to a flash memory unit selected from among the plurality of flash memories and to receive data read from the selected flash memory unit via the common input/output bus, the controller being connected with the common input/output bus, wherein the controller adjusts a propagation timing of the read control signal unit based on a propagation delay corresponding to the selected flash memory unit, and thereby controlling a timing optimized for each flash memory unit.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à mémoire flash servant à ajuster une temporisation de signal de lecture et sur un procédé de commande de lecture du dispositif à mémoire flash. Le dispositif à mémoire flash comprend une pluralité d'unités de mémoire flash ; un bus d'entrée/sortie commun connecté à chaque unité de la pluralité d'unités de mémoire flash ; et un contrôleur pour propager le signal de commande de lecture vers une unité de mémoire flash sélectionnée parmi les unités de la pluralité de mémoires flash et pour recevoir des données lues sur l'unité de mémoire flash sélectionnée par le bus d'entrée/sortie commun, le contrôleur étant connecté au bus d'entrée/sortie commun, le contrôleur ajustant une temporisation de propagation de l'unité de signal de commande de lecture selon un retard de propagation correspondant à l'unité de mémoire flash sélectionnée, et contrôlant ainsi une temporisation optimisée pour chaque unité de mémoire flash.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)