WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009084756) APPAREIL ET PROCÉDÉ PERMETTANT LA COMMANDE AUTOMATIQUE D'ÉLECTRODES DE COURANT EN VUE D'UN EXAMEN DE LA RÉSISTIVITÉ ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084756    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/007024
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 31.12.2007
CIB :
G01R 27/20 (2006.01), G01V 3/02 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF GEOSCIENCE & MINERAL RESOURCES [KR/KR]; 30, Gajeong-dong yuseong-gu Daejeon 305-350 (KR) (Tous Sauf US).
JUNG, Hyun-Key [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : JUNG, Hyun-Key; (KR)
Mandataire : CHUNG, Sang-Kyu; 4F., Doonam Building 236-11, Nonhyeon-dong Gangnam-gu Seoul 135-010 (KR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR AUTOMATIC CONTROL OF CURRENT ELECTRODES FOR ELECTRICAL RESISTIVITY SURVEY
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ PERMETTANT LA COMMANDE AUTOMATIQUE D'ÉLECTRODES DE COURANT EN VUE D'UN EXAMEN DE LA RÉSISTIVITÉ ÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for automatic control of current electrodes in a measuring system for an electrical resistivity survey includes: a circuit where one pair of metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are connected to upper and lower terminals of n current electrodes and the one pair of MOSFETs are connected in parallel with each other; and a controller which contrails on/off of each MOSFET. A method for automatic control of current electrodes in a measuring system for an electrical resistivity survey includes: (a) by a controller, selecting two current electrodes Cl, C2 from a circuit where one pair of metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are connected to upper and lower terminals of n current electrodes and the one pair of MOSFETs are connected in parallel with each other; (b) by the controller, controlling the upper MOSFET of the current electrode Cl and the lower MOSFET of the current electrode C2 to be on and standing by for a predetermined period of time; (c) by the controller, controlling the upper MOSFET of the current electrode Cl and the lower MOSFET of the current electrode C2 to be off and standing by for a predetermined period of time; (d) by the controller, controlling the lower MOSFET of the current electrode Cl and the upper MOSFET of the current electrode C2 to be on and standing by for a predetermined period of time; and (e) by the controller, controlling the lower MOSFET of the current electrode Cl and the upper MOSFET of the current electrode C2 to be off and standing by for a predetermined period of time. With this, the present invention provides a stable and semipermanent apparatus for automatic control of current electrodes, which is capable of bipolar high-speed switching, and a method thereof.
(FR)L'invention concerne un appareil permettant la commande automatique d'électrodes de courant dans un système de mesure pour un examen de la résistivité électrique qui inclut : un circuit où une paire de transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET ou transistors à effet de champ MOS) sont branchés à des bornes supérieures et inférieures de n électrodes de courant et ladite paire des transistors à effet de champ MOS sont branchés l'un à l'autre en parallèle; et un dispositif de commande qui commande la marche/l'arrêt de chaque transistor à effet de champ MOS. L'invention concerne également un procédé permettant la commande automatique d'électrodes de courant dans un système de mesure pour un examen de la résistivité électrique qui inclut : (a) au moyen d'un dispositif de commande, la sélection de deux électrodes de courant C1 et C2 d'un circuit où une paire de transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique sont branchés à des bornes supérieures et inférieures de n électrodes de courant et ladite paire des transistors à effet de champ MOS sont branchés l'un à l'autre en parallèle; (b) au moyen du dispositif de commande, la commande du transistor à effet de champ MOS supérieur de l'électrode de courant C1 et du transistor à effet de champ MOS inférieur de l'électrode de courant C2 devant être en marche et étant maintenue sous tension pendant une période de temps prédéterminée; (c) au moyen du dispositif de commande, la commande du transistor à effet de champ MOS supérieur de l'électrode de courant C1 et du transistor à effet de champ MOS inférieur de l'électrode de courant C2 devant être à l'arrêt et étant maintenue sous tension pendant une période de temps prédéterminée; (d) au moyen du dispositif de commande, la commande du transistor à effet de champ MOS inférieur de l'électrode de courant C1 et du transistor à effet de champ MOS supérieur de l'électrode de courant C2 devant être en marche et étant maintenue sous tension pendant une période de temps prédéterminée; et (e) au moyen du dispositif de commande, la commande du transistor à effet de champ MOS inférieur de l'électrode de courant C1 et du transistor à effet de champ MOS supérieur de l'électrode de courant C2 devant être à l'arrêt et étant maintenue sous tension pendant une période de temps prédéterminée. Avec ceci, la présente invention concerne un appareil stable et semi-permanent permettant la commande automatique d'électrodes de courant, qui est capable d'une commutation bipolaire à grande vitesse, et son procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)