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1. (WO2009084724) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084724    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073950
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 25.12.2008
CIB :
G06F 12/00 (2006.01), G06F 3/06 (2006.01), G06F 3/08 (2006.01), G06F 12/02 (2006.01), G06F 12/04 (2006.01), G06F 12/08 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
YANO, Hirokuni [JP/JP]; (US Seulement).
KANNO, Shinichi [JP/JP]; (US Seulement).
HIDA, Toshikatsu [JP/JP]; (US Seulement).
MATSUZAKI, Hidenori [JP/JP]; (US Seulement).
KITSUNAI, Kazuya [JP/JP]; (US Seulement).
ASANO, Shigehiro [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : YANO, Hirokuni; .
KANNO, Shinichi; .
HIDA, Toshikatsu; .
MATSUZAKI, Hidenori; .
KITSUNAI, Kazuya; .
ASANO, Shigehiro;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo, 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-339943 28.12.2007 JP
2008-046227 27.02.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor storage device includes a first memory area 11 configured in a volatile semiconductor memory, second and third memory areas 12 and 13 configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller 10 which executes following processing. The controller 10 executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data outputted from the first memory area by a first management unit in the second memory area, and a third processing for storing data outputted from the first memory area by a second management unit in the third memory area.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de stockage à semi-conducteur. Le dispositif comprend une première zone de mémoire (11) configurée dans une mémoire à semi-conducteur volatile; des deuxième et troisième zones de mémoire (12 et 13) configurées dans une mémoire à semi-conducteur non volatile; et un contrôleur (10) qui exécute le traitement suivant. Le contrôleur (10) exécute un premier traitement pour stocker une pluralité de données par la première unité dans la première zone de mémoire; un deuxième traitement pour stocker des données sorties de la première zone de mémoire par une première unité de gestion dans la deuxième zone de mémoire; et un troisième traitement pour stocker des données sorties de la première zone de mémoire par une deuxième unité de gestion dans la troisième zone de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)