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1. (WO2009084701) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE DE CAMÉRA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084701    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073883
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 19.12.2008
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUO, Mie [JP/JP]; (US Seulement).
KAWASAKI, Atsuko [JP/JP]; (US Seulement).
TAKAHASHI, Kenji [JP/JP]; (US Seulement).
SEKIGUCHI, Masahiro [JP/JP]; (US Seulement).
TANIDA, Kazumasa [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : MATSUO, Mie; .
KAWASAKI, Atsuko; .
TAKAHASHI, Kenji; .
SEKIGUCHI, Masahiro; .
TANIDA, Kazumasa;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo, 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-338200 27.12.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE AND CAMERA MODULE
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE DE CAMÉRA
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor package includes a solid-state imaging element, electrode pad, through-hole electrode, and light-transmitting substrate. The solid-state imaging element is formed on the first main surface of a semiconductor substrate. The electrode pad is formed on the first main surface of the semiconductor substrate. The through-hole electrode is formed to extend through the semiconductor substrate between the first main surface and a second main surface opposite to the electrode pad formed on the first main surface. The light-transmitting substrate is placed on a patterned adhesive to form a hollow on the solid-state imaging element. The thickness of the semiconductor substrate below the hollow when viewed from the light-transmitting substrate is larger than that of the semiconductor substrate below the adhesive.
(FR)L'invention porte sur un boîtier de semi-conducteur qui comprend un élément d'imagerie à semi-conducteur, un plot d'électrode, une électrode de trou traversant et un substrat transmettant la lumière. L'élément d'imagerie à semi-conducteur est formé sur la première surface principale d'un substrat semi-conducteur. Le plot d'électrode est formé sur la première surface principale du substrat semi-conducteur. L'électrode de trou traversant est formée pour s'étendre à travers le substrat semi-conducteur entre la première surface principale et la seconde surface principale, en face du plot d'électrode formé sur la première surface principale. Le substrat transmettant la lumière est placé sur un adhésif à motif pour former un creux sur l'élément d'imagerie à semi-conducteur. L'épaisseur du substrat semi-conducteur sous le creux et vue à partir du substrat transmettant la lumière est supérieure à celle du substrat semi-conducteur sous l'adhésif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)