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1. (WO2009084700) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE ÉLECTRODE DE TROU TRAVERSANT ET UN SUBSTRAT TRANSMETTANT LA LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084700    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073882
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 19.12.2008
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
KAWASAKI, Atsuko [JP/JP]; (US Seulement).
MATSUO, Mie [JP/JP]; (US Seulement).
INOUE, Ikuko [JP/JP]; (US Seulement).
AYABE, Masayuki [JP/JP]; (US Seulement).
SEKIGUCHI, Masahiro [JP/JP]; (US Seulement).
TANIDA, Kazumasa [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : KAWASAKI, Atsuko; .
MATSUO, Mie; .
INOUE, Ikuko; .
AYABE, Masayuki; .
SEKIGUCHI, Masahiro; .
TANIDA, Kazumasa;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo, 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-338199 27.12.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THROUGH-HOLE ELECTRODE AND LIGHT-TRANSMITTING SUBSTRATE
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE ÉLECTRODE DE TROU TRAVERSANT ET UN SUBSTRAT TRANSMETTANT LA LUMIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)An imaging element is formed on the first main surface of a semiconductor substrate. An external terminal is formed on the second main surface of the semiconductor substrate. A through hole electrode is formed in a through hole formed in the semiconductor substrate. A first electrode pad is formed on the through hole electrode in the first main surface. An interlayer insulating film is formed on the first electrode pad and on the first main surface. A second electrode pad is formed on the interlayer insulating film. A passivation film is formed on the second electrode pad and the interlayer insulating film, and has an opening which exposes a portion of the second electrode pad. A contact plug is formed between the first and second electrode pads in a region which does not overlap the opening when viewed in a direction perpendicular to the surface of the semiconductor substrate.
(FR)Selon l'invention, un élément d'imagerie est formé sur la première surface principale d'un substrat semi-conducteur. Une borne externe est formée sur la seconde surface principale du substrat semi-conducteur. Une électrode de trou traversant est formée dans un trou traversant pratiqué dans le substrat semi-conducteur. Un premier plot d'électrode est formé sur l'électrode de trou traversant dans la première surface principale. Un film isolant intercouche est formé sur le premier plot d'électrode et sur la première surface principale. Un second plot d'électrode est formé sur le film isolant intercouche. Un film de passivation est formé sur le second plot d'électrode et sur le film isolant intercouche, et comporte une ouverture qui expose une partie du second plot d'électrode. Une fiche de contact est formée entre les premier et second plots d'électrode dans une zone qui ne chevauche pas l'ouverture vue perpendiculairement à la surface du substrat semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)